二極管是一種具有單向?qū)щ娞匦缘陌雽?dǎo)體器件，由一個(gè) PN 結(jié)、電極引線和外殼封裝而成。PN 結(jié)是其重要結(jié)構(gòu)，P 型半導(dǎo)體一側(cè)帶正電，富含空穴；N 型半導(dǎo)體一側(cè)帶負(fù)電，含有大量自由電子。當(dāng)二極管兩端施加正向電壓（陽(yáng)極接正，陰極接負(fù)）且超過(guò)其導(dǎo)通閾值（硅管約 0.7V，鍺管約 0.3V）時(shí)，PN 結(jié)變窄，載流子擴(kuò)散形成正向電流，此時(shí)二極管處于導(dǎo)通狀態(tài)；而施加反向電壓時(shí)，PN 結(jié)變寬，只存在微弱的反向飽和電流，二極管截止。這種單向?qū)щ娞匦允苟O管能夠?qū)崿F(xiàn)整流、限幅、穩(wěn)壓等功能，廣泛應(yīng)用于各類電子電路中，如同電路中的 “單向閥門”，控制電流的流向與大小。發(fā)光二極管（LED）通電后能發(fā)出可見(jiàn)光。IPB200N15N3G

    整流橋堆是將多個(gè)二極管按照一定的電路連接方式組合在一起，實(shí)現(xiàn)交流電到直流電的全波整流功能。常見(jiàn)的整流橋堆有由四個(gè)二極管組成的單相全波整流橋和由六個(gè)二極管組成的三相全波整流橋。以單相全波整流橋?yàn)槔?，在交流電的正半周，兩個(gè)二極管導(dǎo)通，電流按一定路徑流過(guò)負(fù)載；在負(fù)半周，另外兩個(gè)二極管導(dǎo)通，電流方向不變，持續(xù)流過(guò)負(fù)載，從而將交流電轉(zhuǎn)換為較平滑的直流電。在各種電子設(shè)備的電源電路中，整流橋堆廣泛應(yīng)用，為設(shè)備提供穩(wěn)定的直流電源，相較于單個(gè)二極管組成的整流電路，整流橋堆具有更高的整流效率和更穩(wěn)定的輸出特性，滿足了電子設(shè)備對(duì)電源質(zhì)量的要求。TIP63G二極管的額定電流與反向耐壓是選型時(shí)需重點(diǎn)關(guān)注的主要參數(shù)。

    二極管是電子電路中的基礎(chǔ)元件之一，由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成，具有單向?qū)щ娦浴．?dāng)正向電壓施加于二極管時(shí)，它允許電流通過(guò)；而當(dāng)反向電壓施加時(shí)，則阻止電流通過(guò)。這種特性使得二極管在整流、開關(guān)、限流等多種電路中發(fā)揮重要作用。二極管種類繁多，按照所用半導(dǎo)體材料可分為硅二極管和鍺二極管。硅二極管的正向壓降一般為0.6-0.7V，而鍺二極管的正向壓降較低，約為0.3V。此外，根據(jù)用途不同，二極管還可分為整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管、發(fā)光二極管等，每種二極管都有其特定的應(yīng)用場(chǎng)景和性能特點(diǎn)。

    熱敏二極管的電學(xué)特性隨溫度變化而明顯改變。其正向壓降與溫度呈近似線性關(guān)系，溫度升高時(shí)，正向壓降減??；溫度降低時(shí)，正向壓降增大。利用這一特性，熱敏二極管可用于溫度測(cè)量和溫度控制電路。在電子設(shè)備的溫度監(jiān)測(cè)中，將熱敏二極管安裝在關(guān)鍵發(fā)熱部件附近，通過(guò)測(cè)量其正向壓降的變化，可精確計(jì)算出溫度值。在一些溫度控制系統(tǒng)，如空調(diào)、冰箱的溫控電路中，熱敏二極管作為溫度傳感器，將溫度信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，反饋給控制系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)對(duì)設(shè)備溫度的精確調(diào)節(jié)，保障設(shè)備在適宜的溫度環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，廣泛應(yīng)用于各種對(duì)溫度監(jiān)測(cè)和控制有需求的場(chǎng)景。發(fā)光二極管（LED）通電后能發(fā)光，按波長(zhǎng)不同呈現(xiàn)紅、綠、藍(lán)等多種顏色。

    肖特基二極管是一種基于金屬 - 半導(dǎo)體結(jié)的二極管，與普通 PN 結(jié)二極管相比，具有正向壓降?。s 0.3 - 0.5V）、反向恢復(fù)時(shí)間極短（幾乎為零）、開關(guān)速度快等明顯優(yōu)勢(shì)。這些特性使其在高頻電路中表現(xiàn)出色，如在開關(guān)電源的同步整流電路中，肖特基二極管可降低導(dǎo)通損耗，提高電源轉(zhuǎn)換效率；在高頻逆變器、DC - DC 轉(zhuǎn)換器中，快速的開關(guān)特性減少了電路的能量損耗和電磁干擾。此外，肖特基二極管的低正向壓降也適用于低壓大電流的應(yīng)用場(chǎng)景，如鋰電池保護(hù)電路。但肖特基二極管的反向耐壓一般較低，通常在 100V 以下，在選型時(shí)需根據(jù)電路的實(shí)際需求，權(quán)衡其性能優(yōu)勢(shì)與耐壓限制，充分發(fā)揮其在高頻、低壓電路中的作用。雙向觸發(fā)二極管無(wú)正負(fù)極之分，常用于可控硅觸發(fā)與過(guò)電壓保護(hù)電路。PMEG6010CEH-QX

硅二極管正向?qū)妷焊哂阪N二極管，穩(wěn)定性更強(qiáng)，工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用更廣。IPB200N15N3G

    二極管的制造工藝包括多個(gè)環(huán)節(jié)。首先是半導(dǎo)體材料的制備，硅或鍺等半導(dǎo)體材料需要經(jīng)過(guò)提純、拉晶等過(guò)程，得到高純度、高質(zhì)量的半導(dǎo)體晶體。然后進(jìn)行晶圓制造，將半導(dǎo)體晶體切割成薄片，在晶圓上通過(guò)擴(kuò)散、離子注入等工藝形成 P - N 結(jié)。擴(kuò)散工藝是將特定的雜質(zhì)原子擴(kuò)散到半導(dǎo)體材料中，改變其導(dǎo)電類型，從而形成 P 區(qū)和 N 區(qū)。離子注入則是通過(guò)加速離子并將其注入到半導(dǎo)體材料中，精確地控制雜質(zhì)的濃度和分布。在形成 P - N 結(jié)之后，還需要進(jìn)行電極制作，在 P 區(qū)和 N 區(qū)分別制作金屬電極，以便與外部電路連接。另外，進(jìn)行封裝，將制作好的二極管芯片封裝在特定的封裝材料中，保護(hù)芯片并提供合適的引腳用于安裝。IPB200N15N3G