雪崩二極管利用了半導(dǎo)體中的雪崩倍增效應(yīng)。當(dāng)在雪崩二極管兩端加上足夠高的反向電壓時(shí)，少數(shù)載流子在強(qiáng)電場(chǎng)作用下獲得足夠能量，與晶格原子碰撞產(chǎn)生新的電子 - 空穴對(duì)，這些新產(chǎn)生的載流子又繼續(xù)碰撞其他原子，引發(fā)連鎖反應(yīng)，導(dǎo)致電流急劇增大，產(chǎn)生雪崩倍增現(xiàn)象。在微波電路中，雪崩二極管可作為微波振蕩器和放大器。通過(guò)控制雪崩二極管的工作狀態(tài)，利用其雪崩倍增產(chǎn)生的高頻振蕩信號(hào)，實(shí)現(xiàn)微波信號(hào)的放大和產(chǎn)生。在雷達(dá)系統(tǒng)中，雪崩二極管用于產(chǎn)生高功率的微波信號(hào)，為雷達(dá)的目標(biāo)探測(cè)和定位提供強(qiáng)大的信號(hào)源，在微波通信、雷達(dá)探測(cè)等高頻領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。瞬態(tài)抑制二極管（TVS）在遭遇浪涌電壓時(shí)迅速導(dǎo)通泄流，為電子設(shè)備提供可靠的過(guò)電壓保護(hù)。珠海SZMM5Z5V6T1G二極管達(dá)林頓晶體管

    二極管的關(guān)鍵特性參數(shù)包括較大整流電流、最高反向工作電壓、反向飽和電流、正向壓降等。較大整流電流決定了二極管能夠長(zhǎng)期通過(guò)的較大正向平均電流，選型時(shí)需確保實(shí)際工作電流小于該值，以免器件過(guò)熱損壞；最高反向工作電壓是二極管能承受的較大反向電壓，超過(guò)此值會(huì)導(dǎo)致反向擊穿，影響電路安全。反向飽和電流越小，二極管的性能越穩(wěn)定；正向壓降則影響電路的功率損耗。在電源整流電路中，需選用較大整流電流和最高反向工作電壓適配的二極管；在高頻電路中，優(yōu)先考慮結(jié)電容小、反向恢復(fù)時(shí)間短的型號(hào)，以減少信號(hào)失真，合理選型是保障二極管正常工作和電路穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵。上海BAV99,235二極管晶體管整流二極管可將交流電轉(zhuǎn)換為直流電。

    穩(wěn)壓二極管是一種專門(mén)用于穩(wěn)定電壓的二極管。它的工作原理與普通二極管有所不同。在正常情況下，穩(wěn)壓二極管處于反向偏置狀態(tài)。當(dāng)反向電壓達(dá)到穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電壓值時(shí)，穩(wěn)壓二極管開(kāi)始反向?qū)ǎ⑶以谝欢ǖ碾娏鞣秶鷥?nèi)，其兩端的電壓幾乎保持不變。這是因?yàn)楫?dāng)反向電壓超過(guò)穩(wěn)定電壓后，二極管中的載流子數(shù)量急劇增加，形成較大的反向電流，通過(guò)二極管自身的動(dòng)態(tài)電阻調(diào)整，使得兩端的電壓穩(wěn)定在特定的值。穩(wěn)壓二極管在電源穩(wěn)壓電路中被廣泛應(yīng)用。例如，在一些對(duì)電壓穩(wěn)定性要求較高的電子設(shè)備中，如精密儀器、通信設(shè)備等，當(dāng)輸入電壓發(fā)生波動(dòng)時(shí)，穩(wěn)壓二極管可以確保輸出電壓保持穩(wěn)定，從而保證設(shè)備的正常運(yùn)行。

    二極管的制造工藝包括多個(gè)環(huán)節(jié)。首先是半導(dǎo)體材料的制備，硅或鍺等半導(dǎo)體材料需要經(jīng)過(guò)提純、拉晶等過(guò)程，得到高純度、高質(zhì)量的半導(dǎo)體晶體。然后進(jìn)行晶圓制造，將半導(dǎo)體晶體切割成薄片，在晶圓上通過(guò)擴(kuò)散、離子注入等工藝形成 P - N 結(jié)。擴(kuò)散工藝是將特定的雜質(zhì)原子擴(kuò)散到半導(dǎo)體材料中，改變其導(dǎo)電類型，從而形成 P 區(qū)和 N 區(qū)。離子注入則是通過(guò)加速離子并將其注入到半導(dǎo)體材料中，精確地控制雜質(zhì)的濃度和分布。在形成 P - N 結(jié)之后，還需要進(jìn)行電極制作，在 P 區(qū)和 N 區(qū)分別制作金屬電極，以便與外部電路連接。另外，進(jìn)行封裝，將制作好的二極管芯片封裝在特定的封裝材料中，保護(hù)芯片并提供合適的引腳用于安裝。發(fā)光二極管（LED）通電后能發(fā)光，按波長(zhǎng)不同呈現(xiàn)紅、綠、藍(lán)等多種顏色。

    在正常使用的電流范圍內(nèi)導(dǎo)通時(shí)二極管的端電壓幾乎維持不變這個(gè)電壓稱為二極管的正向?qū)妷?。不同類型的二極管其正向?qū)妷阂灿兴煌绻瓒O管一般為0.6-0.7V而鍺二極管則較低約為0.3V。當(dāng)二極管承受反向電壓時(shí)如果反向電壓不超過(guò)一定限度（即反向擊穿電壓）則二極管幾乎不導(dǎo)通電流處于截止?fàn)顟B(tài)。這種反向截止特性是二極管能夠單向?qū)щ姷闹匾蛑?。?dāng)反向電壓超過(guò)二極管的反向擊穿電壓時(shí)二極管會(huì)發(fā)生反向擊穿現(xiàn)象此時(shí)二極管由截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)電流迅速增大。然而需要注意的是反向擊穿可能是破壞性的因此需要合理設(shè)計(jì)電路以避免二極管發(fā)生破壞性擊穿。變?nèi)荻O管通過(guò)電壓改變結(jié)電容值。STD14NM50N MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)

穩(wěn)壓二極管利用反向擊穿特性穩(wěn)定電壓。珠海SZMM5Z5V6T1G二極管達(dá)林頓晶體管

    二極管是一種具有單向?qū)щ娦缘碾娮釉?。它主要由半?dǎo)體材料構(gòu)成，常見(jiàn)的有硅和鍺。在二極管的結(jié)構(gòu)中，包含一個(gè) P - N 結(jié)。當(dāng)二極管正向偏置時(shí)，即 P 區(qū)接電源正極，N 區(qū)接電源負(fù)極，二極管呈現(xiàn)出低電阻狀態(tài)，電流能夠順利通過(guò)；而當(dāng)二極管反向偏置時(shí)，電流幾乎無(wú)法通過(guò)，此時(shí)二極管處于高電阻狀態(tài)。這種獨(dú)特的單向?qū)щ娞匦允沟枚O管在電子電路中被廣泛應(yīng)用。例如，在電源電路中，二極管可以防止電流反向流動(dòng)，保護(hù)電路中的其他元件免受反向電流的損害。從微觀角度來(lái)看，正向偏置時(shí)，外電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)方向相反，削弱了內(nèi)電場(chǎng)，使得多數(shù)載流子能夠跨越 P - N 結(jié)形成電流；反向偏置時(shí)，外電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)方向相同，加強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)，多數(shù)載流子難以跨越，只有少數(shù)載流子形成微弱的反向電流。珠海SZMM5Z5V6T1G二極管達(dá)林頓晶體管