NPN 型小功率晶體三極管是電子電路中常用的半導(dǎo)體器件,其 重要結(jié)構(gòu)由三層半導(dǎo)體材料構(gòu)成,分別為發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。發(fā)射區(qū)采用高摻雜的 N 型半導(dǎo)體,目的是提高載流子(自由電子)的濃度,便于后續(xù)載流子的發(fā)射;基區(qū)為 P 型半導(dǎo)體,其摻雜濃度低,而且物理厚度極薄,通常有幾微米到幾十微米,這種設(shè)計能讓發(fā)射區(qū)注入的載流子快速穿過基區(qū),減少在基區(qū)的復(fù)合損耗;集電區(qū)同樣是 N 型半導(dǎo)體,面積比發(fā)射區(qū)大得多,主要作用是高效收集從基區(qū)過來的載流子。三個區(qū)域分別引出三個電極,對應(yīng)發(fā)射極(E)、基極(B)和集電極(C),電極的引出方式和位置會根據(jù)三極管的封裝形式有所差異,常見的封裝有 TO-92、SOT-23 等,這些封裝既能保護(hù)內(nèi)部半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),又能方便在電路中焊接安裝。電流放大系數(shù) β 隨頻率升高而降,特征頻率 fT 是 β=1 時的頻率。定制需求抗輻射NPN型晶體三極管廠家直銷

用萬用表檢測三極管好壞:第一步測 PN 結(jié)正向?qū)ㄐ?,紅表筆接 B,黑表筆接 E、C,均應(yīng)顯示 0.6-0.7V(硅管),若顯示 “OL” 或壓降異常,說明發(fā)射結(jié) / 集電結(jié)損壞;第二步測反向截止性,黑表筆接 B,紅表筆接 E、C,均應(yīng)顯示 “OL”,若有導(dǎo)通壓降,說明 PN 結(jié)反向漏電;第三步估測 β,將萬用表調(diào)至 “hFE 檔”,根據(jù)三極管類型(NPN)插入對應(yīng)插槽,顯示 β 值,若 β<10 或無顯示,說明三極管放大能力失效。例如檢測 9013 管,若 B-E、B-C 正向壓降正常,反向截止,β=80-120,說明三極管完好。定制需求抗輻射NPN型晶體三極管廠家直銷PC≤0.7PCM,VCE≤0.7V (BR) CEO,避免參數(shù)超標(biāo)損壞器件。

針對三極管參數(shù)隨溫度漂移的問題,可采用 NPN 管自身組成溫度補(bǔ)償電路,常見的有 diode 補(bǔ)償和三極管補(bǔ)償。diode 補(bǔ)償是將二極管與基極串聯(lián),二極管正向壓降隨溫度變化與 VBE 一致(每升高 1℃,均下降 2-2.5mV),抵消 VBE 的漂移;三極管補(bǔ)償是用另一支同型號三極管的發(fā)射結(jié)與原三極管發(fā)射結(jié)并聯(lián),利用兩只管子參數(shù)的一致性,使溫度漂移相互抵消。例如在共射放大電路中,基極串聯(lián) 1N4148 二極管,當(dāng)溫度升高 10℃,VBE 下降 25mV,二極管正向壓降也下降 25mV,確保 IB 基本不變,IC 穩(wěn)定。
共射放大電路是 NPN 型小功率管的經(jīng)典應(yīng)用,發(fā)射極接地,輸入信號加在 BE 間,輸出信號從 CE 間取出。電路中,RB(基極偏置電阻)控制 IB,確定靜態(tài)工作點;RC(集電極負(fù)載電阻)將 IC 變化轉(zhuǎn)化為 VCE 變化,實現(xiàn)電壓放大。該電路的優(yōu)勢是電壓放大倍數(shù)高(Av=-βRC/ri,ri 為輸入電阻)、電流放大倍數(shù)大,缺點是輸入電阻小、輸出電阻大,輸出信號與輸入信號反相。例如在音頻前置放大電路中,用 9014 管組成共射電路,將麥克風(fēng)輸出的 mV 級信號放大至 V 級,為后級功率放大提供信號源。共射電路有截止失真,因靜態(tài)工作點低,可減小 RB 或提高 VCC 避免。

常見故障有:一是三極管燒毀,多因 IC 超過 ICM、PC 超過 PCM 或 VCE 超過 V (BR) CEO,排查時用萬用表測 CE 間電阻,若為 0Ω(短路)或無窮大(開路),說明燒毀,需更換參數(shù)匹配的三極管;二是放大能力下降,表現(xiàn)為輸出信號幅度減小,測 β 值若明顯低于標(biāo)稱值,需更換三極管;三是開關(guān)失控,導(dǎo)通時 CE 壓降過大(未飽和),需增大 IB(減小 RB),截止時 IC 過大(漏電),需更換質(zhì)量合格的三極管;四是溫度漂移,IC 隨溫度升高而增大,需增加溫度補(bǔ)償電路(如在 RB 旁并聯(lián)負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻)。靜態(tài)工作點需通過偏置電路設(shè)置,確保三極管工作在放大區(qū)。定制需求抗輻射NPN型晶體三極管廠家直銷
簡易通斷測試儀中,它放大電流使蜂鳴器發(fā)聲,檢測電路通斷。定制需求抗輻射NPN型晶體三極管廠家直銷
NPN 型小功率晶體三極管的參數(shù)對溫度變化非常敏感,溫度的變化會影響其性能。首先,溫度升高時,基極 - 發(fā)射極電壓 VBE 會減小,通常溫度每升高 1℃,VBE 約減小 2-2.5mV,這會導(dǎo)致基極電流 IB 增大,進(jìn)而使集電極電流 IC 增大,可能導(dǎo)致電路靜態(tài)工作點漂移;其次,溫度升高會使電流放大系數(shù) β 增大,一般溫度每升高 10℃,β 值約增大 10%-20%,β 值的增大同樣會使 IC 增大,加劇工作點的不穩(wěn)定;另外,溫度升高還會使集電極反向飽和電流 ICBO 增大,ICBO 是指發(fā)射極開路時,集電極與基極之間的反向電流,由于 ICBO 具有正溫度系數(shù),溫度每升高 10℃,ICBO 約增大一倍,而 ICEO(基極開路時集電極與發(fā)射極之間的反向電流)約為 ICBO 的(1+β)倍,因此 ICEO 隨溫度的變化更為明顯,這會導(dǎo)致三極管的穩(wěn)定性下降,甚至在無信號輸入時出現(xiàn)較大的輸出電流。定制需求抗輻射NPN型晶體三極管廠家直銷
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