共集放大電路又稱射極輸出器，在該電路中，集電極作為公共電極，輸入信號(hào)加在基極和集電極之間，輸出信號(hào)從發(fā)射極和集電極之間取出。NPN 型小功率三極管在共集放大電路中同樣工作在放大區(qū)，其 重要特點(diǎn)是電壓放大倍數(shù)小于 1 且近似等于 1，輸出電壓與輸入電壓同相位，即輸出電壓跟隨輸入電壓變化，因此也被稱為電壓跟隨器。雖然共集放大電路的電壓放大能力較弱，但它具有輸入電阻高、輸出電阻低的優(yōu)點(diǎn)，輸入電阻高可以減小信號(hào)源的負(fù)載效應(yīng)，輸出電阻低則可以提高電路的帶負(fù)載能力，能夠驅(qū)動(dòng)阻抗較低的負(fù)載。基于這些特點(diǎn)，共集放大電路常用于多級(jí)放大電路的輸入級(jí)、輸出級(jí)或中間隔離級(jí)，例如在測(cè)量?jī)x器的輸入電路中，采用共集放大電路可以減少對(duì)被測(cè)信號(hào)的影響；在功率放大電路的輸出級(jí)前，使用共集放大電路可以起到緩沖作用，提高整個(gè)電路的帶負(fù)載能力。Cbc 易形成密勒效應(yīng)，大幅降低電路上限截止頻率，高頻應(yīng)用需選小 Cbc 型號(hào)。華東地區(qū)小信號(hào)NPN型晶體三極管廠家直銷

NPN 型小功率晶體三極管的輸出特性曲線是以基極電流（IB）為參變量，描述集電極電流（IC）與集電極 - 發(fā)射極電壓（VCE）之間關(guān)系的一族曲線。輸出特性曲線通常分為三個(gè)區(qū)域：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。截止區(qū)是指 IB=0 時(shí)的區(qū)域，此時(shí) IC 很小，近似為零，三極管相當(dāng)于開(kāi)路，一般當(dāng) VBE 小于死區(qū)電壓時(shí)，三極管工作在截止區(qū)；放大區(qū)的特點(diǎn)是 IC 基本不隨 VCE 的變化而變化，與 IB 成正比，即 IC=βIB，此時(shí)三極管具有穩(wěn)定的電流放大能力，是放大電路中三極管的主要工作區(qū)域，在該區(qū)域內(nèi)，發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置；飽和區(qū)是指當(dāng) VCE 較小時(shí)，IC 不再隨 IB 的增大而線性增大，此時(shí) IC 達(dá)到飽和值（ICS），三極管相當(dāng)于短路，飽和時(shí)的 VCE 稱為飽和壓降（VCE (sat)），小功率 NPN 型三極管的 VCE (sat) 通常在 0.1-0.3V 之間，飽和區(qū)常用于開(kāi)關(guān)電路中，實(shí)現(xiàn)電路的導(dǎo)通與關(guān)斷。高精度NPN型晶體三極管機(jī)構(gòu)認(rèn)證用 hFE 檔估測(cè) β，β<10 或無(wú)顯示，說(shuō)明放大能力失效。

三極管的開(kāi)關(guān)速度由導(dǎo)通時(shí)間（ton）和關(guān)斷時(shí)間（toff）決定，ton 是從 IB 加入到 IC 達(dá)到 90% IC (sat) 的時(shí)間，toff 是從 IB 撤銷到 IC 降至 10% IC (sat) 的時(shí)間，小功率 NPN 管的 ton 和 toff 通常在幾十到幾百 ns。開(kāi)關(guān)速度影響電路的工作頻率，例如在 500kHz 的脈沖電路中，需選擇 ton+toff≤1μs 的三極管（如 MMBT3904，ton=25ns，toff=60ns），否則會(huì)出現(xiàn) “開(kāi)關(guān)不完全”，導(dǎo)致 IC 波形拖尾，功耗增大。為加快開(kāi)關(guān)速度，可在基極回路并聯(lián)加速電容，縮短載流子存儲(chǔ)時(shí)間。射極輸出器的輸出電阻低（通常幾十到幾百 Ω），需與低阻抗負(fù)載匹配才能發(fā)揮帶負(fù)載優(yōu)勢(shì)。若負(fù)載電阻 RL 遠(yuǎn)大于輸出電阻 ro，輸出電壓會(huì)隨 RL 變化，無(wú)法穩(wěn)定；若 RL 過(guò)?。ㄈ缧∮?ro 的 1/10），則會(huì)使 IC 增大，可能超過(guò) ICM。例如射極輸出器 ro=100Ω，驅(qū)動(dòng) LED 時(shí)（LED 工作電流 20mA，正向壓降 2V），需串聯(lián)限流電阻 R=（VCC-VE-VLED）/IL，若 VCC=5V、VE=2.7V，R=(5-2.7-2)/0.02=15Ω，此時(shí) RL（LED+R）≈15Ω，與 ro 匹配，LED 亮度穩(wěn)定。

常見(jiàn)故障有：一是三極管燒毀，多因 IC 超過(guò) ICM、PC 超過(guò) PCM 或 VCE 超過(guò) V (BR) CEO，排查時(shí)用萬(wàn)用表測(cè) CE 間電阻，若為 0Ω（短路）或無(wú)窮大（開(kāi)路），說(shuō)明燒毀，需更換參數(shù)匹配的三極管；二是放大能力下降，表現(xiàn)為輸出信號(hào)幅度減小，測(cè) β 值若明顯低于標(biāo)稱值，需更換三極管；三是開(kāi)關(guān)失控，導(dǎo)通時(shí) CE 壓降過(guò)大（未飽和），需增大 IB（減小 RB），截止時(shí) IC 過(guò)大（漏電），需更換質(zhì)量合格的三極管；四是溫度漂移，IC 隨溫度升高而增大，需增加溫度補(bǔ)償電路（如在 RB 旁并聯(lián)負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻）。共射電路飽和失真源于工作點(diǎn)高，需增大 RB、減小 RC 或降 VCC 解決。

NPN 型小功率三極管在開(kāi)關(guān)電路中通過(guò) IB 控制工作狀態(tài)：當(dāng) IB=0（或 IB

分壓式偏置穩(wěn)定性好，靠 RB1、RB2 分壓和 RE 抑制 IC 漂移，應(yīng)用廣。華東地區(qū)小信號(hào)NPN型晶體三極管廠家直銷

要使 NPN 型小功率晶體三極管正常工作，必須滿足特定的偏置條件，即發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置。發(fā)射結(jié)正向偏置是指在基極和發(fā)射極之間施加正向電壓，對(duì)于硅材料的三極管，這個(gè)正向電壓通常在 0.6-0.7V 左右，此時(shí)發(fā)射區(qū)的自由電子在正向電場(chǎng)的作用下，會(huì)大量越過(guò)發(fā)射結(jié)進(jìn)入基區(qū)；集電結(jié)反向偏置則是在基極和集電極之間施加反向電壓，該電壓值通常比發(fā)射結(jié)正向電壓大得多，反向電場(chǎng)會(huì)阻止基區(qū)的空穴向集電區(qū)移動(dòng)，同時(shí)能將基區(qū)中未與空穴復(fù)合的自由電子 “拉” 向集電區(qū)。當(dāng)滿足這兩個(gè)偏置條件時(shí)，三極管內(nèi)部會(huì)形成較大的集電極電流，且集電極電流會(huì)隨著基極電流的微小變化而發(fā)生明顯變化，從而實(shí)現(xiàn)電流放大功能。華東地區(qū)小信號(hào)NPN型晶體三極管廠家直銷

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