集電極最大允許電流 ICM 是指 NPN 型小功率晶體三極管在正常工作時(shí)，集電極所能通過(guò)的最大電流值。當(dāng)集電極電流 IC 超過(guò) ICM 時(shí)，三極管的電流放大系數(shù) β 會(huì)明顯下降，雖然此時(shí)三極管可能不會(huì)立即損壞，但會(huì)導(dǎo)致電路的放大性能變差，無(wú)法滿足設(shè)計(jì)要求。ICM 的數(shù)值與三極管的封裝形式、散熱條件密切相關(guān)，相同型號(hào)的三極管，采用散熱性能更好的封裝時(shí)，ICM 會(huì)有所增大；同時(shí)，若電路中為三極管配備了散熱片，也能在一定程度上提高 ICM 的實(shí)際可用值。小功率 NPN 型三極管的 ICM 通常在幾十毫安到幾百毫安之間，例如常用的 9013 三極管，其 ICM 約為 500mA，而 9014 三極管的 ICM 約為 100mA。在選擇三極管時(shí)，需要根據(jù)電路中集電極的最大工作電流來(lái)確定 ICM，確保 ICM 大于實(shí)際工作電流，以保證三極管的正常工作和電路性能的穩(wěn)定。共射電路飽和失真源于工作點(diǎn)高，需增大 RB、減小 RC 或降 VCC 解決。通信設(shè)備抗輻射NPN型晶體三極管響應(yīng)時(shí)間10ns

反向擊穿電壓是衡量 NPN 型小功率晶體三極管耐壓能力的重要參數(shù)，主要包括集電極 - 基極反向擊穿電壓（V (BR) CBO）、集電極 - 發(fā)射極反向擊穿電壓（V (BR) CEO）和發(fā)射極 - 基極反向擊穿電壓（V (BR) EBO）。V (BR) CBO 是指發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，集電極與基極之間所能承受的 反向電壓，若超過(guò)此電壓，集電結(jié)會(huì)發(fā)生反向擊穿，導(dǎo)致反向電流急劇增大；V (BR) CEO 是指基極開(kāi)路時(shí)，集電極與發(fā)射極之間的反向電壓，其數(shù)值通常小于 V (BR) CBO，因?yàn)榛鶚O開(kāi)路時(shí)，集電結(jié)的反向擊穿會(huì)通過(guò)基區(qū)影響發(fā)射結(jié)，使得 V (BR) CEO 降低；V (BR) EBO 是指集電極開(kāi)路時(shí)，發(fā)射極與基極之間的反向電壓，由于發(fā)射結(jié)通常工作在正向偏置狀態(tài)，對(duì)反向電壓的耐受能力較弱，所以 V (BR) EBO 的數(shù)值較小，一般在幾伏到十幾伏之間。在電路設(shè)計(jì)中，必須確保三極管實(shí)際工作時(shí)的電壓不超過(guò)對(duì)應(yīng)的反向擊穿電壓，否則會(huì)導(dǎo)致三極管損壞。醫(yī)療設(shè)備低噪聲放大NPN型晶體三極管散熱片設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)特性實(shí)驗(yàn)用脈沖信號(hào)控通斷，測(cè)量開(kāi)關(guān)時(shí)間。

共集放大電路（射極輸出器）以集電極接地，輸入信號(hào)加在 BC 間，輸出信號(hào)從 BE 間取出。NPN 型小功率管在該電路中工作在放大區(qū)， 重要特點(diǎn)是電壓放大倍數(shù)≈1（Av<1），輸出與輸入同相（無(wú)反相），輸入電阻高（ri≈βRL，RL 為負(fù)載電阻）、輸出電阻低（ro≈ri/β）。雖無(wú)電壓放大能力，但帶負(fù)載能力強(qiáng)，常用于多級(jí)放大電路的輸入級(jí)、輸出級(jí)或隔離級(jí)。例如在傳感器信號(hào)采集電路時(shí)，共集電路作為輸入級(jí)，高輸入電阻可減少對(duì)傳感器輸出信號(hào)的衰減；在 LED 驅(qū)動(dòng)電路中，作為輸出級(jí)，低輸出電阻可穩(wěn)定 LED 工作電流。

在正常工作狀態(tài)下，NPN 型小功率晶體三極管的三個(gè)電極電流之間存在嚴(yán)格的分配關(guān)系，遵循基爾霍夫電流定律。具體來(lái)說(shuō)，發(fā)射極電流（IE）等于基極電流（IB）與集電極電流（IC）之和，即 IE = IB + IC。在電流放大區(qū)域，集電極電流與基極電流的比值基本保持恒定，這個(gè)比值被稱為電流放大系數(shù)（β），表達(dá)式為 β = IC / IB，β 值是衡量三極管電流放大能力的重要參數(shù)，小功率 NPN 型三極管的 β 值通常在 20-200 之間，部分高 β 值型號(hào)可達(dá)到 300 以上。由于 β 值遠(yuǎn)大于 1，所以集電極電流遠(yuǎn)大于基極電流，而發(fā)射極電流則略大于集電極電流。這種電流分配關(guān)系是三極管實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大的基礎(chǔ)，例如在音頻放大電路中，微弱的音頻信號(hào)電流作為基極電流輸入，經(jīng)過(guò)三極管放大后，就能在集電極得到幅度較大的輸出電流，進(jìn)而推動(dòng)揚(yáng)聲器發(fā)聲。共基電路輸入阻抗低、輸出阻抗高，適合做電流緩沖器。

針對(duì)三極管參數(shù)隨溫度漂移的問(wèn)題，可采用 NPN 管自身組成溫度補(bǔ)償電路，常見(jiàn)的有 diode 補(bǔ)償和三極管補(bǔ)償。diode 補(bǔ)償是將二極管與基極串聯(lián)，二極管正向壓降隨溫度變化與 VBE 一致（每升高 1℃，均下降 2-2.5mV），抵消 VBE 的漂移；三極管補(bǔ)償是用另一支同型號(hào)三極管的發(fā)射結(jié)與原三極管發(fā)射結(jié)并聯(lián)，利用兩只管子參數(shù)的一致性，使溫度漂移相互抵消。例如在共射放大電路中，基極串聯(lián) 1N4148 二極管，當(dāng)溫度升高 10℃，VBE 下降 25mV，二極管正向壓降也下降 25mV，確保 IB 基本不變，IC 穩(wěn)定。用 hFE 檔估測(cè) β，β<10 或無(wú)顯示，說(shuō)明放大能力失效。華南地區(qū)小信號(hào)NPN型晶體三極管信噪比80dB

教學(xué)實(shí)驗(yàn)中，測(cè) IB、IC 繪 β 曲線，助理解電流放大原理。通信設(shè)備抗輻射NPN型晶體三極管響應(yīng)時(shí)間10ns

正確識(shí)別引腳是三極管應(yīng)用的前提，常用方法有：一是看封裝標(biāo)識(shí)，TO-92 封裝管（如 9013），引腳朝下、標(biāo)識(shí)面向自己，從左至右依次為 E、B、C；SOT-23 封裝管（如 MMBT3904），引腳朝下、缺口朝左，從左至右依次為 E、B、C（部分型號(hào)順序不同，需查手冊(cè)）。二是用萬(wàn)用表檢測(cè)，將萬(wàn)用表調(diào)至 “二極管檔”，紅表筆接 B，黑表筆接 E，顯示壓降 0.6-0.7V（正向?qū)ǎ?；黑表筆接 C，紅表筆接 B，顯示壓降 0.6-0.7V（正向?qū)ǎ?；其他引腳組合顯示 “OL”（反向截止），據(jù)此區(qū)分 B、E、C。通信設(shè)備抗輻射NPN型晶體三極管響應(yīng)時(shí)間10ns

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