在三相三線制電路中,由于三相電流的相位差為 120°,3 次諧波及 3 的整數(shù)倍次諧波(如 9 次、15 次)會(huì)在三相電路中形成環(huán)流,無(wú)法通過(guò)線路傳輸至電網(wǎng)公共連接點(diǎn),因此這類(lèi)諧波在電網(wǎng)側(cè)的含量極低;而 “6k±1” 次諧波不會(huì)形成環(huán)流,可通過(guò)線路注入電網(wǎng),成為三相三線制電路中影響電網(wǎng)的主要諧波。在三相四線制電路中,中性線的存在為 3 次及 3 的整數(shù)倍次諧波提供了流通路徑,這類(lèi)諧波會(huì)通過(guò)中性線傳輸,導(dǎo)致中性線電流增大,同時(shí)在電網(wǎng)側(cè)形成諧波污染,因此三相四線制電路中,3 次、5 次、7 次諧波均為主要諧波類(lèi)型。淄博正高電氣以更積極的態(tài)度,更新、更好的產(chǎn)品,更優(yōu)良的服務(wù),迎接挑戰(zhàn)。甘肅進(jìn)口可控硅調(diào)壓模塊哪家好
從幅值分布來(lái)看,三相可控硅調(diào)壓模塊的低次諧波(3 次、5 次、7 次)幅值仍占主導(dǎo):5 次、7 次諧波的幅值通常為基波幅值的 10%-30%,3 次諧波(三相四線制)的幅值可達(dá)基波幅值的 15%-40%;11 次、13 次及以上高次諧波的幅值通常低于基波幅值的 8%,對(duì)電網(wǎng)的影響隨次數(shù)增加而快速減弱。導(dǎo)通角是影響可控硅調(diào)壓模塊諧波含量的關(guān)鍵參數(shù),其變化直接改變電流波形的畸變程度,進(jìn)而影響諧波的幅值與分布:小導(dǎo)通角(α≤60°):此時(shí)晶閘管的導(dǎo)通區(qū)間窄,電流波形脈沖化嚴(yán)重,諧波含量較高。以單相模塊為例,導(dǎo)通角α=30°時(shí),3次諧波幅值可達(dá)基波的40%-50%,5次諧波可達(dá)25%-35%,7次諧波可達(dá)15%-25%;三相三線制模塊的5次、7次諧波幅值可達(dá)基波的30%-40%。棗莊可控硅調(diào)壓模塊批發(fā)淄博正高電氣以顧客為本,誠(chéng)信服務(wù)為經(jīng)營(yíng)理念。
從傅里葉變換的數(shù)學(xué)原理來(lái)看,任何非正弦周期波形都可分解為基波(與電網(wǎng)頻率相同的正弦波)和一系列頻率為基波整數(shù)倍的諧波(頻率為基波頻率 2 倍、3 倍、4 倍…… 的正弦波)??煽毓枵{(diào)壓模塊輸出的脈沖電流波形,經(jīng)傅里葉分解后,除包含與電網(wǎng)頻率一致的基波電流外,還會(huì)產(chǎn)生大量高次諧波電流。這些諧波電流會(huì)通過(guò)模塊與電網(wǎng)的連接點(diǎn)注入電網(wǎng),導(dǎo)致電網(wǎng)電流波形畸變,進(jìn)而影響電網(wǎng)電壓波形(當(dāng)電網(wǎng)阻抗不為零時(shí),諧波電流在電網(wǎng)阻抗上產(chǎn)生壓降,形成諧波電壓)。
可控硅調(diào)壓模塊的過(guò)載能力本質(zhì)上是模塊內(nèi)部晶閘管的熱容量與電流耐受能力的綜合體現(xiàn)。晶閘管的導(dǎo)通過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生功耗(包括導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)損耗),功耗轉(zhuǎn)化為熱量使結(jié)溫升高。在正常工況下,模塊的散熱系統(tǒng)可將熱量及時(shí)散發(fā),結(jié)溫維持在安全范圍(通常為 50℃-100℃);在過(guò)載工況下,電流增大導(dǎo)致功耗急劇增加,結(jié)溫快速上升,若過(guò)載電流過(guò)大或持續(xù)時(shí)間過(guò)長(zhǎng),結(jié)溫會(huì)超出較高允許值,導(dǎo)致晶閘管的 PN 結(jié)損壞或觸發(fā)特性長(zhǎng)久退化。因此,模塊的短期過(guò)載能力取決于兩個(gè)關(guān)鍵因素:一是晶閘管的熱容量(即器件吸收熱量而不超過(guò)較高結(jié)溫的能力),熱容量越大,短期過(guò)載耐受能力越強(qiáng)。淄博正高電氣為企業(yè)打造高水準(zhǔn)、高質(zhì)量的產(chǎn)品。
材料退化:晶閘管芯片的半導(dǎo)體材料(如硅)長(zhǎng)期在高溫環(huán)境下會(huì)出現(xiàn)載流子遷移,導(dǎo)致導(dǎo)通電阻增大、正向壓降升高,損耗增加;封裝材料(如陶瓷、金屬外殼)會(huì)因老化出現(xiàn)密封性下降,水汽、粉塵進(jìn)入芯片內(nèi)部,引發(fā)漏電或短路故障。通常,晶閘管的壽命占模塊總壽命的70%以上,若選型合理(如額定電壓、電流留有1.2-1.5倍余量)、散熱良好,其壽命可達(dá)10-15年;若長(zhǎng)期在超額定參數(shù)、高溫環(huán)境下運(yùn)行,壽命可能縮短至3-5年。濾波電容(如電解電容、薄膜電容)用于抑制電壓紋波、穩(wěn)定直流母線電壓,是模塊中壽命較短的元件,主要受溫度、電壓與紋波電流影響:溫度老化:電解電容的電解液長(zhǎng)期在高溫下會(huì)揮發(fā)、干涸,導(dǎo)致電容容量衰減、等效串聯(lián)電阻(ESR)增大,濾波效果下降。淄博正高電氣公司自成立以來(lái),一直專(zhuān)注于對(duì)產(chǎn)品的精耕細(xì)作。湖南交流可控硅調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)
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芯片損耗:觸發(fā)電路中的驅(qū)動(dòng)芯片、控制單元中的MCU等,工作時(shí)會(huì)消耗電能,產(chǎn)生熱量,若芯片封裝散熱性能差,可能導(dǎo)致局部溫升過(guò)高,影響芯片性能。散熱條件決定了模塊產(chǎn)生的熱量能否及時(shí)散發(fā)到環(huán)境中,直接影響溫升的穩(wěn)定值。散熱條件越好,熱量散發(fā)越快,溫升越低;反之,散熱條件差,熱量累積,溫升升高。散熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)模塊的散熱系統(tǒng)通常包括散熱片、散熱風(fēng)扇、導(dǎo)熱界面材料(如導(dǎo)熱硅脂、導(dǎo)熱墊)與散熱結(jié)構(gòu)(如液冷板),其設(shè)計(jì)合理性直接影響散熱效率:散熱片:散熱片的材質(zhì)(如鋁合金、銅)、表面積與結(jié)構(gòu)(如鰭片密度、高度)決定其散熱能力。甘肅進(jìn)口可控硅調(diào)壓模塊哪家好