13、DIP（dual tape carrier package）同上。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)DTCP 的命名（見DTCP）。14、FP（flat package）扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP（見QFP和SOP）的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。15、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封裝技術(shù)之一，在LSI芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點(diǎn)，然后把金屬凸點(diǎn)與印刷基板上的電極區(qū)進(jìn)行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有封裝技術(shù)中體積**小、**薄的一種。但如果基板的熱膨脹系數(shù)與LSI芯片不同，就會(huì)在接合處產(chǎn)生反應(yīng)，從而影響連接的可靠性。因此必須用樹脂來加固LSI芯片，并使用熱膨脹系數(shù)基本相同的基板材料。按照J(rèn)EDEC（美國聯(lián)合電子設(shè)備委員會(huì)）標(biāo)準(zhǔn)對(duì)QFP進(jìn)行的一種分類。宜興標(biāo)準(zhǔn)集成電路廠家供應(yīng)

使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層。然后使用微影、擴(kuò)散、CMP等技術(shù)制成MOSFET或BJT等組件，然后利用微影、薄膜、和CMP技術(shù)制成導(dǎo)線，如此便完成芯片制作。因產(chǎn)品性能需求及成本考量，導(dǎo)線可分為鋁制程和銅制程。IC由很多重疊的層組成，每層由圖像技術(shù)定義，通常用不同的顏色表示。一些層標(biāo)明在哪里不同的摻雜劑擴(kuò)散進(jìn)基層（成為擴(kuò)散層），一些定義哪里額外的離子灌輸（灌輸層），一些定義導(dǎo)體（多晶硅或金屬層），一些定義傳導(dǎo)層之間的連接（過孔或接觸層）。所有的組件由這些層的特定組合構(gòu)成。宜興好的集成電路廠家供應(yīng)模壓樹脂密封凸點(diǎn)陳列載體。美國Motorola公司對(duì)模壓樹脂密封BGA采用的名稱（見BGA）。

當(dāng)沒有特別表示出材料時(shí)，多數(shù)情況為塑料QFP。塑料QFP是**普及的多引腳LSI封裝。不僅用于微處理器，門陳列等數(shù)字邏輯LSI電路，而且也用于VTR信號(hào)處理、音響信號(hào)處理等模擬LSI電路。引腳中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm等多種規(guī)格。0.65mm中心距規(guī)格中**多引腳數(shù)為304。日本將引腳中心距小于0.65mm的QFP稱為QFP（FP）。但2000年后日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)對(duì)QFP的外形規(guī)格進(jìn)行了重新評(píng)價(jià)。在引腳中心距上不加區(qū)別，而是根據(jù)封裝本體厚度分為QFP（2.0mm～3.6mm厚）、LQFP（1.4mm厚）和TQFP（1.0mm厚）三種。

外，由于引線的阻抗小，對(duì)于高速LSI是很適用的。但由于插座制作復(fù)雜，成本高，90年代基本上不怎么使用。預(yù)計(jì)今后對(duì)其需求會(huì)有所增加。24、LOC（lead on chip）芯片上引線封裝。LSI封裝技術(shù)之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結(jié)構(gòu)，芯片的中心附近制作有凸焊點(diǎn)，用引線縫合進(jìn)行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側(cè)面附近的結(jié)構(gòu)相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達(dá)1mm左右寬度。25、LQFP（low profile quad flat package）薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP，是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)根據(jù)制定的新QFP外形規(guī)格所用的名稱。測(cè)量集成電路引腳直流電壓時(shí)，應(yīng)選用表頭內(nèi)阻大于20KΩ/V的萬用表，對(duì)某些引腳電壓會(huì)有較大的測(cè)量誤差。

MCM－D是用薄膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或氮化鋁）或Si、Al作為基板的組件。布線密謀在三種組件中是比較高的，但成本也高。28、MFP（mini flat package）小形扁平封裝。塑料SOP或SSOP的別稱（見SOP和SSOP）。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。29、MQFP（metric quad flat package）按照J(rèn)EDEC（美國聯(lián)合電子設(shè)備委員會(huì)）標(biāo)準(zhǔn)對(duì)QFP進(jìn)行的一種分類。指引腳中心距為0.65mm、本體厚度為3.8mm～2.0mm的標(biāo)準(zhǔn)QFP（見QFP）。30、MQUAD（metal quad）前述將電路制造在半導(dǎo)體芯片表面上的集成電路又稱薄膜（thin-film）集成電路。江陰質(zhì)量集成電路產(chǎn)品介紹

同上。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)DTCP 的命名（見DTCP）。宜興標(biāo)準(zhǔn)集成電路廠家供應(yīng)

——這是集成電路的布局，模擬電路和數(shù)字電路分開，處理小信號(hào)的敏感電路與翻轉(zhuǎn)頻繁的控制邏輯分開，電源單獨(dú)放在一角。每層樓的房間布局不一樣，走廊也不一樣，有回字形的、工字形的、幾字形的——這是集成電路器件設(shè)計(jì)，低噪聲電路中可以用折疊形狀或“叉指”結(jié)構(gòu)的晶體管來減小結(jié)面積和柵電阻。各樓層直接有高速電梯可達(dá)，為了效率和功能隔離，還可能有多部電梯，每部電梯能到的樓層不同——這是集成電路的布線，電源線、地線單獨(dú)走線，負(fù)載大的線也寬；時(shí)鐘與信號(hào)分開；每層之間布線垂直避免干擾；CPU與存儲(chǔ)之間的高速總線，相當(dāng)于電梯，各層之間的通孔相當(dāng)于電梯間……宜興標(biāo)準(zhǔn)集成電路廠家供應(yīng)

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