針對第三代半導體材料（SiC/GaN）的減薄需求，優(yōu)普納砂輪適配6吋、8吋晶圓，滿足襯底片粗磨、精磨全流程。以東京精密HRG200X設備為例，6吋SiC線割片采用2000#砂輪粗磨，磨耗比只15%，Ra≤30nm；精磨使用30000#砂輪，磨耗比120%，Ra≤3nm，TTV穩(wěn)定在2μm以下。DISCO設備案例中，8吋晶圓精磨后TTV≤2μm，適配性強，可替代日本、德國進口產品。江蘇優(yōu)普納科技有限公司專業(yè)生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。通過持續(xù)的技術研發(fā)和工藝改進 優(yōu)普納碳化硅晶圓減薄砂輪在性能上不斷突破 為國產半導體加工設備及耗材力量。耐磨砂輪質量

江蘇優(yōu)普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，憑借其高性能陶瓷結合劑和“Dmix+”制程工藝，在第三代半導體材料加工領域樹立了新的目標。這種獨特的結合劑配方不只賦予了砂輪強度高和韌性，還通過多孔顯微組織的設計，實現(xiàn)了高研削性能和良好的散熱效果。在實際應用中，無論是粗磨還是精磨，優(yōu)普納的砂輪都能保持穩(wěn)定的性能，減少振動和損傷，確保加工后的晶圓表面質量優(yōu)異。這種技術優(yōu)勢不只滿足了半導體制造的需求，還為國產化替代提供了堅實的技術支持。國產砂輪評測在東京精密-HRG200X減薄機上，優(yōu)普納砂輪加工6吋SiC線割片，磨耗比為15%，Ra≤30nm，TTV≤3μm。

江蘇優(yōu)普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，以其低損耗特性成為半導體加工領域的理想選擇。其獨特的多孔顯微組織調控技術，使得砂輪在高磨削效率的同時，磨耗比極低。在東京精密-HRG200X減薄機的實際應用中，6吋SiC線割片的磨耗比只為15%，而8吋SiC線割片的磨耗比也只為35%。這意味著在長時間的加工過程中，砂輪的磨損極小，使用壽命更長，為客戶節(jié)省了大量的成本。低損耗不只體現(xiàn)在砂輪本身的使用壽命上，還體現(xiàn)在加工后的晶圓表面質量上，損傷極小，進一步提升了產品的性價比，助力優(yōu)普納在國產化替代進程中占據(jù)優(yōu)勢。

江蘇優(yōu)普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，以其優(yōu)越的低損耗特性，為客戶節(jié)省了大量的成本。其獨特的多孔顯微組織調控技術，使得砂輪在高磨削效率的同時，磨耗比極低。在實際應用中，6吋SiC線割片的磨耗比只為15%，而8吋SiC線割片的磨耗比也只為35%。這意味著在長時間的加工過程中，砂輪的磨損極小，使用壽命更長。低損耗不只體現(xiàn)在砂輪本身的使用壽命上，還體現(xiàn)在加工后的晶圓表面質量上，損傷極小，進一步提升了產品的性價比，助力優(yōu)普納在國產化替代進程中占據(jù)優(yōu)勢。優(yōu)普納砂輪的低磨耗比優(yōu)勢，不僅降低客戶成本，還保證加工后的晶圓表面質量，是高性價比的國產化替代方案。

優(yōu)普納的多孔砂輪顯微組織調控技術，通過優(yōu)化砂輪內部孔隙率與分布，大幅提升冷卻液滲透效率，解決傳統(tǒng)砂輪因散熱不足導致的晶圓微裂紋問題。在東京精密HRG200X設備上，6吋SiC晶圓粗磨時，砂輪磨耗比只15%，且加工過程中溫升降低40%，表面粗糙度穩(wěn)定在Ra≤30nm。該技術不只延長砂輪壽命20%，還可適配高轉速磨床，助力客戶實現(xiàn)高效、低成本的批量生產。江蘇優(yōu)普納科技有限公司專業(yè)生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。優(yōu)普納砂輪的低損耗特性，不僅延長了產品的使用壽命，還減少加工過程中的材料浪費，為客戶帶來成本節(jié)約。國產砂輪評測

從粗磨到精磨，優(yōu)普納砂輪在不同加工階段均能保持優(yōu)越的性能，確保加工后的晶圓表面質量達到行業(yè)更高水平。耐磨砂輪質量

江蘇優(yōu)普納科技有限公司：碳化硅減薄砂輪已通過東京精密、DISCO等主流設備的兼容性測試，并獲得多家國際半導體廠商的認證。例如，在DISCO-DFG8640設備上，優(yōu)普納砂輪連續(xù)加工1000片8吋SiC晶圓后，磨耗比仍穩(wěn)定在200%以內，精度無衰減。這一表現(xiàn)不只達到進口砂輪水平，更以快速交付與本地化服務贏得客戶青睞，成為國產替代優(yōu)先選擇的品牌。江蘇優(yōu)普納科技有限公司專業(yè)生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。耐磨砂輪質量