5.線性調(diào)節(jié)器（LDO）-穩(wěn)壓IC概述和選擇指南-

穩(wěn)壓IC概述穩(wěn)壓IC低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）是一種簡(jiǎn)單、有效的調(diào)節(jié)由較高輸入電壓供電的輸出電壓的方法。德州儀器（TI）擁有***的LDO產(chǎn)品組合，其特點(diǎn)是小尺寸封裝、低靜態(tài)電流（低IQ）以擴(kuò)展電池壽命長(zhǎng)，低噪聲LDO具有高電源抑制比（PSRR），低固有噪聲，高輸出電流和快速瞬態(tài)響應(yīng)速度快，高壓LDO適用于惡劣的汽車環(huán)境。

穩(wěn)壓IC減少解決方案大?。?

使用小尺寸、高性能LDO，當(dāng)今電子設(shè)計(jì)的復(fù)雜性和密度相當(dāng)于有限的PCB空間。為了應(yīng)對(duì)電子設(shè)備越來(lái)越小的趨勢(shì)，穩(wěn)壓IC-LDO必須提供相同的性能，同時(shí)消耗盡可能少的空間。TI提供了許多LDO，可滿足高性能需求和微小的解決方案規(guī)模。 UC2827DWTR-1穩(wěn)壓IC電源穩(wěn)壓IC，就選特克集團(tuán)，原裝現(xiàn)貨！專業(yè)顧問(wèn)為您服務(wù)！

功率MOSFET概述：

TI基于穩(wěn)壓IC的電源管理創(chuàng)新NexFET?技術(shù)，與穩(wěn)壓IC完美結(jié)合將垂直電流與橫向功率MOSFET相結(jié)合。它提供了一個(gè)低導(dǎo)通電阻，需要極低的柵極電荷和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝外形，這是以前現(xiàn)有硅平臺(tái)無(wú)法實(shí)現(xiàn)的組合。

NexFET技術(shù)為N溝道和P溝道提供高性能功率MOSFET器件。設(shè)計(jì)師能夠?qū)崿F(xiàn)90%的供電高輸出電流和低占空比，從輕負(fù)載到全負(fù)載的效率，**了離散設(shè)計(jì)的突破。
功率MOSFET，穩(wěn)壓IC主要包括：N溝道MOSFET晶體管和 P溝道MOSFET晶體管。 特克電子專業(yè)經(jīng)營(yíng)德州儀器穩(wěn)壓IC，專業(yè)顧問(wèn)為您服務(wù)！TL594IDR穩(wěn)壓IC

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