1、檢波用二極管就原理而言,從輸入信號中取出調(diào)制信號是檢波,以整流電流的大?。?00mA)作為界線通常把輸出電流小于 100mA 的叫檢波。鍺材料點接觸型、工作頻率可達 400MHz,正向壓降小,結(jié)電容小,檢波效率高,頻率特性好,為 2AP 型。類似點觸型那樣檢波用的二極管,除用于檢波外,還能夠用于限幅、削波、調(diào)制、混頻、開關(guān)等電路。也有為調(diào)頻檢波專業(yè)使用的特性一致性好的兩只二極管組合件。2、整流用二極管就原理而言,從輸入交流中得到輸出的直流是整流。以整流電流的大?。?00mA)作為界線通常把輸出電流大于 100mA 的叫整流。面結(jié)型,工作頻率小于 KHz,較高反向電壓從 25 伏至 3000 伏分 A~X 共 22 檔。分類如下:①硅半導體整流二極管 2CZ 型、②硅橋式整流器 QL 型、③用于電視機高壓硅堆工作頻率近 100KHz 的 2CLG 型。線性穩(wěn)壓電源是比較早使用的一類直流穩(wěn)壓電源,深圳市凱軒業(yè)科技。江西瞬變抑制二極管有哪些
整流二極管還能夠起到保護作用,當整流二極管外加反向電壓不超過一定范圍時,通過整流二極管的電流少數(shù)載流子漂移運動從而形成的反向電流,可以防止接錯正負極。整流二極管的作用中的反向擊穿,反向擊穿按機理原理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。整流二極管在高摻雜濃度的情況下,整流二極管因勢壘區(qū)寬度很小,反向電壓較大會破壞勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu),使電子脫離共價鍵束縛,產(chǎn)生電子空穴,整流二極管的作用中的另一種擊穿為雪崩擊穿。當整流二極管反向電壓增加到較大數(shù)值時,外加電場會使電子漂移速度加快,從而使整流二極管共價鍵中的價電子相碰撞,把價電子撞出共價鍵,產(chǎn)生新的電子空穴對。江西瞬變抑制二極管有哪些瞬變抑制二極管就選深圳市凱軒業(yè)科技,竭誠為您服務。
主要由PN結(jié)的結(jié)電容及擴散電容決定,若工作頻率超過fm,則二極管的單向?qū)щ娦阅軐⒉荒芎芎玫伢w現(xiàn)。反向恢復時間trr:指在規(guī)定的負載、正向電流及較大反向瞬態(tài)電壓下的反向恢復時間。零偏壓電容CO:指二極管兩端電壓為零時,擴散電容及結(jié)電容的容量之和。值得注意的是,由于制造工藝的限制,即使同一型號的二極管其參數(shù)的離散性也很大。手冊中給出的參數(shù)往往是一個范圍,若測試條件改變,則相應的參數(shù)也會發(fā)生變化,例如在25°C時測得1N5200系列硅塑封整流二極管的IR小于10uA,而在100°C時IR則變?yōu)樾∮?00uA
大體意義上講,PN結(jié)的定義為:采用不同的摻雜工藝,通過擴散作用,將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體基片上,一般半導體的材料選擇為硅或者鍺,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。具體介紹PN結(jié)的形成大體分為三步,首先擴散運動,P區(qū)的空穴濃度遠大于N區(qū)的自由電子濃度,因此,P區(qū)的空穴必然向N區(qū)擴散,并與N區(qū)中的自由電子復合而消失;同樣,N區(qū)的自由電子必然向P區(qū)漂移,并與P區(qū)中的空穴復合而消失。其次是空間電荷區(qū)的產(chǎn)生,擴散運動導致了P區(qū)一側(cè)失去空穴而留下負離子,N區(qū)一側(cè)失去電子而留下正離子,這些不能移動的帶電離子稱為空間電荷,相應地這個區(qū)域稱為空間電荷區(qū),較后由于有正離子和負離子,這樣在空間電荷區(qū)內(nèi)就會產(chǎn)生一個內(nèi)電場,內(nèi)電場的產(chǎn)生讓多子的擴散和少子的漂移達到了一個動態(tài)平衡,較后形成了PN結(jié)。線性穩(wěn)壓直流電源的特點是:輸出電壓比輸入電壓低;反應速度快,輸出紋波較小,凱軒業(yè)電子。
橋式整流電路是使用較多的一種整流電路。這種電路,只要增加兩只二極管口連接成"橋"式結(jié)構(gòu),便具有全波整流電路的優(yōu)點,而同時在一定程度上克服了它的缺點。橋式整流電路的工作原理如下:e2為正半周時,對D1、D3和方向電壓,Dl,D3導通;對D2、D4加反向電壓,D2、D4截止。電路中構(gòu)成e2、Dl、Rfz 、D3通電回路,在Rfz ,上形成上正下負的半波整洗電壓,e2為負半周時,對D2、D4加正向電壓,D2、D4導通;對D1、D3加反向電壓,D1、D3截止。電路中構(gòu)成e2、D2Rfz 、D4通電回路,同樣在Rfz 上形成上正下負的另外半波的整流電壓深圳市凱軒業(yè)科技是一家專業(yè)瞬變抑制二極管方案設計公司,歡迎您的來電喔!江西瞬變抑制二極管有哪些
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二極管的工作原理晶體二極管為一個由 p 型半導體和 n 型半導體形成的 p-n 結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并建有自建電場。當不存在外加電壓時,由于 p-n 結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時,外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時,外界電場和自建電場進一步加強,形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流 I0。當外加的反向電壓高到一定程度時,p-n 結(jié)空間電荷層中的電場強度達到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程,產(chǎn)生大量電子空穴對,產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流,稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。江西瞬變抑制二極管有哪些