面對(duì)國(guó)產(chǎn)手機(jī)芯片動(dòng)輒數(shù)千萬(wàn)乃至上億顆的年出貨量，傳統(tǒng)“單顆或小批量測(cè)試”模式早已無(wú)法滿(mǎn)足產(chǎn)能與成本需求。國(guó)磊GT600憑借512站點(diǎn)并行測(cè)試能力，開(kāi)創(chuàng)“集體考試”新模式——512顆芯片同步上電、同步輸入測(cè)試向量、同步采集響應(yīng)、同步判定Pass/Fail，測(cè)試效率呈指數(shù)級(jí)提升。這不僅將單位時(shí)間產(chǎn)出提高數(shù)十倍，更大幅縮短新品從試產(chǎn)到大規(guī)模鋪貨的周期，搶占市場(chǎng)先機(jī)。更重要的是，測(cè)試成本（CostofTest）是芯片總成本的重要組成部分。據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)，同測(cè)數(shù)（ParallelTestSites）每翻一倍，單顆芯片測(cè)試成本可下降30%~40%。國(guó)磊GT600的512站點(diǎn)能力，相較傳統(tǒng)32或64站點(diǎn)設(shè)備，成本降幅可達(dá)70%以上，為國(guó)產(chǎn)手機(jī)SoC在激烈市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中贏得價(jià)格優(yōu)勢(shì)。國(guó)磊GT600以“高速（400MHz）+高密度（512通道）+高并行（512Sites）”三位一體架構(gòu)，構(gòu)建起支撐國(guó)產(chǎn)**芯片量產(chǎn)的“超級(jí)測(cè)試流水線”，可以讓中國(guó)芯不僅“造得出”，更能“測(cè)得快、賣(mài)得起、用得穩(wěn)”。國(guó)磊GT600支持循環(huán)執(zhí)行睡眠-喚醒測(cè)試，實(shí)時(shí)采集功耗數(shù)據(jù)并自動(dòng)生成報(bào)告，提升測(cè)試效率與可重復(fù)性。深圳PCB測(cè)試系統(tǒng)廠家供應(yīng)

杭州國(guó)磊半導(dǎo)體設(shè)備有限公司GM8800多通道絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)是專(zhuān)為**電子制造業(yè)可靠性驗(yàn)證而打造的精良工具。該系統(tǒng)支持16至256個(gè)通道的靈活配置，實(shí)現(xiàn)大規(guī)模樣品并行加速測(cè)試，其電阻檢測(cè)能力覆蓋10^4~10^14Ω，測(cè)量精度嚴(yán)格控制，能夠滿(mǎn)足國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)如IPC-TM-650 2.6.25對(duì)CAF測(cè)試的嚴(yán)苛要求。GM8800提供精確可編程的電壓輸出，內(nèi)置±100V精密電源，外接偏置電壓比較高3000V，電壓控制精度高，切換速度快，且測(cè)試電壓穩(wěn)定時(shí)間可根據(jù)材料特性在1~600秒間精確設(shè)置。系統(tǒng)集成高精度電流傳感和環(huán)境溫濕度監(jiān)測(cè)，實(shí)時(shí)采集所有關(guān)鍵參數(shù)，并通過(guò)完全屏蔽的低噪聲測(cè)量架構(gòu)保障數(shù)據(jù)真實(shí)性。配套軟件功能強(qiáng)大，提供自動(dòng)化測(cè)試流程、數(shù)據(jù)可視化、趨勢(shì)分析、報(bào)警設(shè)置、報(bào)告生成及遠(yuǎn)程控制功能。在系統(tǒng)可靠性方面，設(shè)計(jì)了***的硬件與軟件報(bào)警機(jī)制和UPS斷電保護(hù)選項(xiàng)。相較于英國(guó)GEN3等進(jìn)口品牌，GM8800在**測(cè)試性能上達(dá)到同等***水平，同時(shí)擁有更優(yōu)的通道經(jīng)濟(jì)性、更低的綜合持有成本和更迅捷的本土技術(shù)服務(wù)，已成為國(guó)內(nèi)**的PCB廠商、半導(dǎo)體封裝廠、新能源車(chē)企及科研機(jī)構(gòu)進(jìn)行絕緣材料研究、工藝評(píng)價(jià)和質(zhì)量控制的信賴(lài)之選，助力中國(guó)智造邁向高可靠性時(shí)代。PCB測(cè)試系統(tǒng)研發(fā)公司國(guó)磊GT600可配置GT-DPSMV08電源板卡，提供-2.5V~7V電壓范圍與1A驅(qū)動(dòng)能力，覆蓋多種模擬IC的供電測(cè)試場(chǎng)景。

    AI加速芯片（如思元系列）專(zhuān)為云端推理與邊緣計(jì)算設(shè)計(jì)，**訴求是“高算力密度、***能效比、毫秒級(jí)穩(wěn)定響應(yīng)”。這類(lèi)芯片往往集成數(shù)千個(gè)AI**與高速互聯(lián)總線，測(cè)試復(fù)雜度高、功耗敏感、量產(chǎn)規(guī)模大，傳統(tǒng)測(cè)試設(shè)備難以兼顧效率與精度。國(guó)磊GT600憑借512站點(diǎn)并行測(cè)試能力，可同時(shí)對(duì)512顆芯片進(jìn)行功能與參數(shù)驗(yàn)證，極大縮短測(cè)試周期，攤薄單顆芯片成本——這對(duì)動(dòng)輒數(shù)萬(wàn)片出貨的數(shù)據(jù)中心級(jí)芯片而言，意味著數(shù)千萬(wàn)級(jí)成本優(yōu)化。在功耗控制上，國(guó)磊GT600的PPMU單元可精確測(cè)量芯片在待機(jī)、輕載、滿(mǎn)載等多場(chǎng)景下的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)電流，結(jié)合FVMI（強(qiáng)制電壓測(cè)電流）模式，驗(yàn)證芯片在不同電壓域下的功耗表現(xiàn)，確保其在7x24小時(shí)運(yùn)行的數(shù)據(jù)中心中實(shí)現(xiàn)“每瓦特算力比較大化”。同時(shí)，其高精度TMU（時(shí)間測(cè)量單元，10ps分辨率）可檢測(cè)AI**間數(shù)據(jù)同步的時(shí)序抖動(dòng)，避免因時(shí)鐘偏移導(dǎo)致的推理錯(cuò)誤或延遲波動(dòng)，保障AI服務(wù)的穩(wěn)定低時(shí)延。

杭州國(guó)磊半導(dǎo)體設(shè)備有限公司GM8800多通道絕緣電阻導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試系統(tǒng)是國(guó)產(chǎn)**測(cè)試裝備邁向國(guó)際先進(jìn)水平的重要標(biāo)志。該系統(tǒng)憑借其可擴(kuò)展的256通道架構(gòu)、高達(dá)10^14Ω的電阻檢測(cè)上限以及優(yōu)異的測(cè)量精度，能夠***滿(mǎn)足IPC、JEDEC等國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)對(duì)CAF測(cè)試的嚴(yán)苛要求。GM8800提供從1V到3000V的寬范圍可編程偏置電壓，內(nèi)置電源精度優(yōu)于±0.05V@100VDC，電壓上升速度快，并允許用戶(hù)自定義1~600分鐘的測(cè)試間隔和1~9999小時(shí)的測(cè)試持續(xù)時(shí)間，完美適配各種加速壽命測(cè)試方案。系統(tǒng)集成多參數(shù)同步采集功能，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電阻、電流、電壓、溫度、濕度等關(guān)鍵數(shù)據(jù)，并通過(guò)完全屏蔽的線纜傳輸以確保信號(hào)質(zhì)量，其強(qiáng)大的數(shù)據(jù)分析軟件支持歷史數(shù)據(jù)回溯、趨勢(shì)圖表生成及測(cè)試報(bào)告導(dǎo)出。在安全可靠性方面，GM8800設(shè)計(jì)了多層次報(bào)警保護(hù)系統(tǒng)和UPS斷電續(xù)航選項(xiàng)，應(yīng)對(duì)各種意外情況。相較于英國(guó)進(jìn)口的GEN3系統(tǒng)，GM8800不僅在技術(shù)性能上實(shí)現(xiàn)***對(duì)標(biāo)，更在設(shè)備成本、售后技術(shù)支持、軟件界面本地化和功能定制方面展現(xiàn)出強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力，正助力國(guó)內(nèi)集成電路制造、**PCB加工、汽車(chē)電子、航空航天等關(guān)鍵領(lǐng)域客戶(hù)降低對(duì)進(jìn)口設(shè)備的依賴(lài)，實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈的安全與自主可控。測(cè)試電壓范圍1V至3000V可調(diào)，滿(mǎn)足各種嚴(yán)苛的測(cè)試條件。

國(guó)磊GM8800導(dǎo)電陽(yáng)極絲（CAF）測(cè)試系統(tǒng)集成了先進(jìn)的精密測(cè)量技術(shù)與高度自動(dòng)化的軟件系統(tǒng)，為電子行業(yè)的絕緣可靠性測(cè)試提供了高性?xún)r(jià)比解決方案。該系統(tǒng)最大支持256個(gè)分立測(cè)量通道，可在8秒內(nèi)完成全通道掃描與數(shù)據(jù)計(jì)算，單通道測(cè)試時(shí)間小于15ms，電阻測(cè)量范圍覆蓋10^4~10^14Ω，實(shí)時(shí)電流檢測(cè)范圍0.1~500μA，滿(mǎn)足從常規(guī)絕緣電阻測(cè)試到極高阻值材料的精確表征需求。GM8800提供極其靈活的電壓激勵(lì)方案，內(nèi)置0V~±100V電源，外接偏置電壓高達(dá)3000V，電壓輸出精度在100VDC內(nèi)達(dá)±0.05V，并支持1~600秒的測(cè)試電壓穩(wěn)定時(shí)間設(shè)置，確保被測(cè)樣品兩端電壓的精確與穩(wěn)定。系統(tǒng)具備完善的自我保護(hù)機(jī)制，包括低阻報(bào)警、測(cè)試停機(jī)、溫濕度超限報(bào)警、偏置電壓超出范圍報(bào)警、AC斷電報(bào)警以及軟件死機(jī)報(bào)警，并可選配UPS提供斷電保護(hù)，保證長(zhǎng)時(shí)間加速測(cè)試的連續(xù)性與數(shù)據(jù)完整性。其配套軟件不僅提供直觀的數(shù)據(jù)顯示和豐富的分析工具，還支持遠(yuǎn)程訪問(wèn)與控制，極大方便了用戶(hù)的使用。與昂貴的進(jìn)口設(shè)備相比，GM8800在關(guān)鍵性能指標(biāo)上并駕齊驅(qū)，而在通道擴(kuò)展性、使用成本和服務(wù)響應(yīng)上更具優(yōu)勢(shì)，已成為國(guó)內(nèi)眾多**企業(yè)在新能源汽車(chē)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、5G通信設(shè)備等領(lǐng)域進(jìn)行絕緣材料評(píng)估和產(chǎn)品質(zhì)量控制的信賴(lài)之選。國(guó)磊GT600支持C++編程與自定義測(cè)試流程，便于實(shí)現(xiàn)復(fù)雜模擬參數(shù)的閉環(huán)掃描與數(shù)據(jù)分析。國(guó)產(chǎn)GEN3測(cè)試系統(tǒng)價(jià)位

強(qiáng)大的數(shù)據(jù)分析功能，助您快速定位問(wèn)題。深圳PCB測(cè)試系統(tǒng)廠家供應(yīng)

GT600每通道集成PPMU，具備nA級(jí)電流分辨率。在電源門(mén)控測(cè)試中，將PPMU連接至被門(mén)控模塊的電源引腳（VDD）或地引腳（VSS），在門(mén)控信號(hào)（PG_EN）關(guān)閉后，測(cè)量該模塊的靜態(tài)電流（IDDQ）。若電流**高于設(shè)計(jì)預(yù)期（如>1μA），則表明存在異常漏電，可能由工藝缺陷或電源開(kāi)關(guān)未完全關(guān)斷導(dǎo)致。GT600支持多路**SMU/PPMU，可同時(shí)監(jiān)測(cè)主電源域與被門(mén)控電源域的電流。測(cè)試時(shí)，保持主邏輯供電，關(guān)閉目標(biāo)模塊的電源門(mén)控信號(hào)，通過(guò)對(duì)比門(mén)控前后該域電流的變化，精確提取**由門(mén)控網(wǎng)絡(luò)控制的漏電成分，排除其他模塊干擾。GT600支持電壓掃描（VoltageSweeping）和溫控聯(lián)動(dòng)（通過(guò)探針臺(tái)接口），可在高溫（如125°C）和高電壓條件下進(jìn)行測(cè)試，放大漏電效應(yīng)，提升缺陷檢出率。例如，在VDD=1.2V、125°C下測(cè)量關(guān)斷電流，可暴露常溫下難以發(fā)現(xiàn)的微小漏電。通過(guò)GTFY軟件系統(tǒng)編寫(xiě)C++腳本，可自動(dòng)化執(zhí)行：施加正常工作電壓；發(fā)送指令進(jìn)入低功耗模式并觸發(fā)電源門(mén)控；延時(shí)穩(wěn)定（如10ms）；啟動(dòng)PPMU進(jìn)行電流采樣；重復(fù)多次以驗(yàn)證一致性。該流程確保測(cè)試可重復(fù)，并能捕捉間歇性漏電。深圳PCB測(cè)試系統(tǒng)廠家供應(yīng)