GT600每通道集成PPMU，具備nA級電流分辨率。在電源門控測試中，將PPMU連接至被門控模塊的電源引腳（VDD）或地引腳（VSS），在門控信號（PG_EN）關(guān)閉后，測量該模塊的靜態(tài)電流（IDDQ）。若電流**高于設(shè)計預(yù)期（如>1μA），則表明存在異常漏電，可能由工藝缺陷或電源開關(guān)未完全關(guān)斷導(dǎo)致。GT600支持多路**SMU/PPMU，可同時監(jiān)測主電源域與被門控電源域的電流。測試時，保持主邏輯供電，關(guān)閉目標(biāo)模塊的電源門控信號，通過對比門控前后該域電流的變化，精確提取**由門控網(wǎng)絡(luò)控制的漏電成分，排除其他模塊干擾。GT600支持電壓掃描（VoltageSweeping）和溫控聯(lián)動（通過探針臺接口），可在高溫（如125°C）和高電壓條件下進行測試，放大漏電效應(yīng)，提升缺陷檢出率。例如，在VDD=1.2V、125°C下測量關(guān)斷電流，可暴露常溫下難以發(fā)現(xiàn)的微小漏電。通過GTFY軟件系統(tǒng)編寫C++腳本，可自動化執(zhí)行：施加正常工作電壓；發(fā)送指令進入低功耗模式并觸發(fā)電源門控；延時穩(wěn)定（如10ms）；啟動PPMU進行電流采樣；重復(fù)多次以驗證一致性。該流程確保測試可重復(fù)，并能捕捉間歇性漏電。國磊GT600SoC測試機兼容STDF、CSV等標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)格式，便于HBM相關(guān)測試數(shù)據(jù)的SPC分析與良率追蹤。高性能GEN3測試系統(tǒng)批發(fā)

    對國產(chǎn)車而言，其自研車規(guī)級MCU（微控制器）與功率半導(dǎo)體是智能汽車“大腦”與“肌肉”的**，必須通過AEC-Q100、AEC-Q101等汽車行業(yè)**嚴(yán)苛的可靠性認(rèn)證，確保在-40℃~150℃極端溫度、高濕、強振動、長期高負(fù)載等惡劣環(huán)境下仍能穩(wěn)定運行十年以上。國磊GT600SoC測試機正是這一“車規(guī)級體檢”的關(guān)鍵設(shè)備。其每通道PPMU（精密參數(shù)測量單元）可精細(xì)測量nA級靜態(tài)漏電流（Iddq），識別芯片內(nèi)部微小缺陷或工藝波動導(dǎo)致的“潛伏性失效”，從源頭剔除“體質(zhì)虛弱”的芯片；同時支持引腳級開路/短路測試，確保封裝無瑕疵。更關(guān)鍵的是，國磊GT600可選配浮動SMU電源板卡，能靈活模擬車載12V/24V供電系統(tǒng)，驗證MCU在電壓波動、負(fù)載突變等真實工況下的電源管理能力，防止“掉電重啟”或“邏輯錯亂”。此外，國磊GT600支持高溫老化測試（Burn-in）接口，可配合溫控系統(tǒng)進行早期失效篩選，大幅提升車載芯片的長期可靠性。在汽車“缺芯”與“安全至上”的雙重背景下，國磊GT600可以為國產(chǎn)車構(gòu)建從研發(fā)到量產(chǎn)的高可靠測試閉環(huán)，守護每一程出行安全。 廣東導(dǎo)電陽極絲測試系統(tǒng)批發(fā)國磊GT600支持電壓/電流源同步掃描功能，可用于BGR（帶隙基準(zhǔn)）溫度特性與電源抑制比（PSRR）自動化測試。

    國產(chǎn)手機自研芯片體系——包括手機SoC（如麒麟系列）、服務(wù)器芯片（如鯤鵬）、AI加速芯片（如昇騰Ascend）——不僅是產(chǎn)品競爭力的**，更是中國半導(dǎo)體自主可控的戰(zhàn)略支點。這些芯片高度集成、性能***、功耗敏感，對測試設(shè)備的全面性、精度、效率和靈活性提出前所未有的挑戰(zhàn)。國磊GT600SoC測試機，正是為這類**國產(chǎn)芯片量身打造的“全能考官”。國磊GT600不僅能驗證手機SoC的CPU/GPU的基礎(chǔ)邏輯功能，更能通過可選配的AWG（任意波形發(fā)生器），模擬真實世界的模擬信號，精細(xì)測試ISP圖像處理單元對攝像頭輸入信號的響應(yīng)質(zhì)量，確保拍照清晰、色彩準(zhǔn)確；通過高精度TMU（時間測量單元，精度達(dá)10ps），驗證5G基帶芯片的信號時序與抖動，保障通信穩(wěn)定低延遲；通過每通道PPMU，檢測NPU在待機與高負(fù)載下的微小漏電流，確保AI算力強勁的同時功耗可控。

杭州國磊半導(dǎo)體設(shè)備有限公司推出的GM8800導(dǎo)電陽極絲（CAF）測試系統(tǒng)，是一款專為高精度絕緣電阻與電化學(xué)遷移測試設(shè)計的**國產(chǎn)設(shè)備。該系統(tǒng)支持16至256通道靈活配置，可同時對多達(dá)256個分立測量點進行實時監(jiān)測，電阻測量范圍覆蓋10^6Ω至10^14Ω，測量精度在10^10Ω以下可達(dá)±3%，展現(xiàn)出優(yōu)異的測試一致性。GM8800具備1.0V至3000V的寬電壓測試能力，內(nèi)置0V~±100V電源，外接偏置電壓可達(dá)3000V，支持步進電壓精細(xì)調(diào)節(jié)，電壓精度在100VDC內(nèi)達(dá)±0.05V，超出100VDC則為±0.5V，電壓上升速率高達(dá)100V/2ms，系統(tǒng)還集成多類報警功能，包括低阻、溫濕度異常、電壓超限、AC斷電及軟件異常等，保障測試過程的安全與穩(wěn)定。相比進口品牌如英國GEN3，GM8800在通道擴展性、電壓范圍和成本控制方面表現(xiàn)更優(yōu)，尤其適合PCB、絕緣材料、焊接工藝及新能源汽車電子等領(lǐng)域的高阻測試需求，是國內(nèi)廠商實現(xiàn)國產(chǎn)替代的理想選擇。國磊GT600在400MHz速率下測試SerDes、GPIO、I2C、SPI、UART等接口的通信功能完成高速接口功能驗證。

國磊GT600搭載GTFY軟件系統(tǒng)，支持C++編程與VisualStudio開發(fā)環(huán)境，工程師可編寫腳本實現(xiàn)：自動化掃描電壓/頻率組合（DVFS驗證）；循環(huán)執(zhí)行睡眠-喚醒-滿載測試序列；實時采集功耗數(shù)據(jù)并生成STDF/CSV報告；大幅提升測試效率與數(shù)據(jù)可追溯性，助力AI芯片從設(shè)計到量產(chǎn)的閉環(huán)優(yōu)化。AI服務(wù)器市場的爆發(fā)，本質(zhì)是算力與功耗的持續(xù)博弈。國磊GT600并未追逐“算力測試”的表層熱點，而是深入電源管理與功耗驗證這一關(guān)鍵底層環(huán)節(jié)，以nA級漏電檢測、多域電源控制、動態(tài)功耗分析與高并行量產(chǎn)能力，成為AI芯片可靠性與能效比驗證的**測試基礎(chǔ)設(shè)施。國磊GT600為采用先進工藝、集成多電源域、支持復(fù)雜低功耗策略的SoC提供了從研發(fā)驗證到量產(chǎn)測試的全程支持。杭州國磊絕緣電阻測試系統(tǒng)定制

國磊GT600SoC測試機可以通過GPIB/TTL接口聯(lián)動探針臺與分選機，實現(xiàn)全自動測試。高性能GEN3測試系統(tǒng)批發(fā)

針對2.5D/3D封裝底部填充膠，在100V偏壓與85%RH條件下執(zhí)行CAF測試。GM8800系統(tǒng)突破性實現(xiàn)101?Ω超高阻測量（精度±10%），可檢測0.01%吸濕率導(dǎo)致的絕緣衰減：1、空間定位：電阻突變頻譜分析功能，定位封裝內(nèi)部±0.5mm級CAF生長點。2、過程監(jiān)控：1~600分鐘可調(diào)間隔捕捉阻值從10?Ω到1013Ω躍遷曲線。3、熱管理：溫度傳感器同步記錄固化放熱反應(yīng)，優(yōu)化回流焊參數(shù)實測數(shù)據(jù)表明，該方案使FCBGA封裝良率提升22%，年節(jié)省質(zhì)損成本超800萬元。高性能GEN3測試系統(tǒng)批發(fā)