國(guó)磊GT600支持400MHz高速測(cè)試與128M超大向量深度，足以運(yùn)行手機(jī)芯片內(nèi)部復(fù)雜的AI推理算法、多任務(wù)調(diào)度協(xié)議等長(zhǎng)周期測(cè)試程序，避免傳統(tǒng)設(shè)備因內(nèi)存不足導(dǎo)致的“中斷加載”，大幅提升測(cè)試覆蓋率和效率。其512站點(diǎn)并行測(cè)試能力，更可滿足手機(jī)芯片大規(guī)模量產(chǎn)需求，***降低測(cè)試成本。更重要的是，國(guó)磊GT600采用開(kāi)放式GTFY系統(tǒng)，支持C++自主編程，工程師可深度定制測(cè)試流程，無(wú)縫對(duì)接內(nèi)部研發(fā)與生產(chǎn)體系，實(shí)現(xiàn)從實(shí)驗(yàn)室到工廠的快速轉(zhuǎn)化。在外部供應(yīng)鏈?zhǔn)芟薜谋尘跋拢瑖?guó)磊GT600作為國(guó)產(chǎn)**測(cè)試設(shè)備，可以為國(guó)產(chǎn)手機(jī)芯片的持續(xù)迭代與穩(wěn)定量產(chǎn)，提供堅(jiān)實(shí)、安全、可控的底層保障。高中端國(guó)產(chǎn)替代測(cè)試系統(tǒng)，用戶高性價(jià)比的選擇！CAF測(cè)試設(shè)備研發(fā)

每一部智能手機(jī)的**都是一顆名為SoC的“超級(jí)大腦”。以蘋(píng)果為例，每一代iPhone都搭載自研的A系列或M系列芯片（如A18、M4）。這顆芯片集成了CPU、GPU、NPU、ISP、基帶、內(nèi)存控制器等數(shù)十個(gè)模塊。但這顆芯片在量產(chǎn)前，必須經(jīng)歷SoC測(cè)試機(jī)成千上萬(wàn)次的測(cè)試。比如功能驗(yàn)證：檢查芯片的每一個(gè)邏輯門(mén)是否正常工作。當(dāng)你用iPhone拍照時(shí)，ISP是否能正確處理圖像？A18芯片的NPU是否能準(zhǔn)確識(shí)別人臉？國(guó)磊GT600芯片測(cè)試機(jī)會(huì)模擬各種使用場(chǎng)景，輸入測(cè)試向量，驗(yàn)證輸出結(jié)果。性能篩選：國(guó)磊GT600SoC芯片測(cè)試機(jī)會(huì)進(jìn)行速度分級(jí)測(cè)試，將芯片分為不同等級(jí)。只有通過(guò)最高速度測(cè)試的芯片，才會(huì)被用于旗艦機(jī)型。功耗與漏電檢測(cè)：手機(jī)續(xù)航至關(guān)重要。國(guó)磊GT600芯片測(cè)試機(jī)的PPMU能精確測(cè)量芯片的靜態(tài)電流（Iddq），確保待機(jī)時(shí)不“偷電”，避免手機(jī)“一天三充”?？煽啃员Ｕ希涸跇O端溫度、電壓下運(yùn)行芯片，篩選出可能早期失效的“弱雞芯片”。國(guó)磊GT600芯片測(cè)試機(jī)支持老化測(cè)試，確保每一顆裝進(jìn)iPhone的芯片都經(jīng)得起長(zhǎng)期使用。混合信號(hào)測(cè)試：現(xiàn)代SoC不僅有數(shù)字電路，還有大量模擬模塊（如音頻編解碼、電源管理）。國(guó)磊GT600芯片測(cè)試機(jī)可選配AWG和TMU，精確測(cè)試這些模擬功能，確保通話清晰、充電穩(wěn)定。絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)研發(fā)公司國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)512Sites高并行測(cè)試架構(gòu)，提升集成了HBM的AI/GPU芯片的測(cè)試吞吐量。

國(guó)磊半導(dǎo)體GM8800多通道絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)是專為應(yīng)對(duì)電子行業(yè)日益嚴(yán)峻的可靠性挑戰(zhàn)而研制的高精度儀器。該系統(tǒng)采用模塊化架構(gòu)，可輕松配置16至256個(gè)測(cè)試通道，實(shí)現(xiàn)大規(guī)模并行測(cè)量，***提升測(cè)試效率；其電阻測(cè)量范圍覆蓋10^4Ω至10^14Ω，測(cè)量精度優(yōu)異，在10^10Ω以下可達(dá)±3%，即便在極高的10^14Ω區(qū)間仍能保證±10%的精度，性能媲國(guó)外進(jìn)口**設(shè)備。GM8800提供寬廣且精確的電壓激勵(lì)，內(nèi)置±100V電源，外接偏置電壓高達(dá)3000V，電壓輸出精度高，上升速度快，且測(cè)試電壓穩(wěn)定時(shí)間可在1~600秒間靈活設(shè)置，滿足各種國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試要求。系統(tǒng)實(shí)時(shí)采集電阻、電流、施加電壓、溫度、濕度等***數(shù)據(jù)，并通過(guò)完全屏蔽的低噪聲線纜傳輸，確保測(cè)量結(jié)果準(zhǔn)確可靠。配套軟件功能***，提供自動(dòng)化測(cè)試、實(shí)時(shí)監(jiān)控、數(shù)據(jù)分析、報(bào)警管理和遠(yuǎn)程操作功能。在系統(tǒng)可靠性方面，具備多重硬件與軟件報(bào)警機(jī)制和UPS斷電保護(hù)功能。相較于英國(guó)GEN3等進(jìn)口產(chǎn)品，GM8800在提供同等前列性能的同時(shí)，擁有更友好的價(jià)格、更靈活的擴(kuò)展能力和更快捷的本土化服務(wù)支持，正成為國(guó)內(nèi)集成電路、新能源車(chē)輛、通信設(shè)備、航空航天等領(lǐng)域**企業(yè)進(jìn)行絕緣可靠性研究與質(zhì)量控制的強(qiáng)大工具，助力中國(guó)**制造業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。

杭州國(guó)磊半導(dǎo)體設(shè)備有限公司GM8800是專為絕緣材料可靠性評(píng)估而設(shè)計(jì)的旗艦型導(dǎo)電陽(yáng)極絲（CAF）測(cè)試系統(tǒng)。該系統(tǒng)以其超高的通道密度（比較高256通道）和極寬的電阻測(cè)量范圍（10^4~10^14Ω）著稱，能夠同時(shí)對(duì)大量測(cè)試樣本進(jìn)行長(zhǎng)期加電測(cè)試，高效統(tǒng)計(jì)其絕緣失效時(shí)間和電阻退化規(guī)律，滿足大批量、高精度測(cè)試需求。GM8800提供精確可控的電壓應(yīng)力，內(nèi)置0V~±100V電源，外接偏置電壓可達(dá)3000V，電壓輸出精度高，步進(jìn)調(diào)節(jié)細(xì)膩，并具備快速的電壓建立能力，可精確模擬各種應(yīng)用場(chǎng)景下的電場(chǎng)環(huán)境。系統(tǒng)測(cè)試參數(shù)設(shè)置靈活，測(cè)試間隔、穩(wěn)定時(shí)間、總持續(xù)時(shí)間均可按需設(shè)定，并集成***的環(huán)境監(jiān)測(cè)與安全保護(hù)功能，包括溫濕度監(jiān)控、多種故障報(bào)警和斷電保護(hù)，確保測(cè)試過(guò)程的可靠與數(shù)據(jù)的安全。其智能軟件平臺(tái)不僅實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化測(cè)試控制與數(shù)據(jù)采集，還提供強(qiáng)大的數(shù)據(jù)分析工具和遠(yuǎn)程訪問(wèn)功能。與價(jià)格昂貴的英國(guó)GEN3設(shè)備相比，GM8800在**測(cè)試性能上并駕齊驅(qū)，而在系統(tǒng)擴(kuò)展能力、購(gòu)買(mǎi)成本、運(yùn)營(yíng)維護(hù)成本以及本地化服務(wù)支持方面具有***優(yōu)勢(shì)，已成為國(guó)內(nèi)眾多行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)在產(chǎn)品研發(fā)、質(zhì)量控制和可靠性驗(yàn)證環(huán)節(jié)提升競(jìng)爭(zhēng)力的重要工具，是實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈自主可控的關(guān)鍵一環(huán)。國(guó)磊GT600的SMU覆蓋從高壓IO（3.3V）到低電壓he心（0.6V~1.2V）的多種電源域，適配不同節(jié)點(diǎn)供電要求。

在HBM技術(shù)快速迭代的背景下，芯片企業(yè)亟需靈活、開(kāi)放的測(cè)試平臺(tái)，以快速響應(yīng)設(shè)計(jì)變更與測(cè)試需求升級(jí)。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)搭載開(kāi)放式GTFY軟件系統(tǒng)，支持VisualStudio與C++開(kāi)發(fā)環(huán)境，讓工程師能夠自由定制測(cè)試流程，快速開(kāi)發(fā)復(fù)雜測(cè)試程序。系統(tǒng)兼容Access、Excel、CSV、STDF等主流數(shù)據(jù)格式，無(wú)縫對(duì)接現(xiàn)有數(shù)據(jù)分析平臺(tái)。同時(shí)，GT600提供測(cè)試向量轉(zhuǎn)換工具，可輕松遷移其他平臺(tái)的測(cè)試方案，大幅縮短導(dǎo)入周期。對(duì)于正在布局HBM產(chǎn)品的國(guó)產(chǎn)AI芯片公司而言，GT600不**是一臺(tái)測(cè)試機(jī)，更是一個(gè)靈活、高效、可擴(kuò)展的測(cè)試生態(tài)，助力客戶在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中搶占先機(jī)。國(guó)磊GT600可選配高精度SMU板卡，實(shí)現(xiàn)nA級(jí)電流測(cè)量分辨率，適用低功耗LDO、DC-DC電源管理芯片靜態(tài)電流測(cè)試。珠海PCB測(cè)試系統(tǒng)價(jià)格

國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)AWG/Digitizer支持20/24bit分辨率，滿足高精度ADC/DAC類(lèi)HBM輔助電路測(cè)試需求。CAF測(cè)試設(shè)備研發(fā)

國(guó)際數(shù)據(jù)公司（IDC）預(yù)測(cè)的人工智能服務(wù)器市場(chǎng)高速增長(zhǎng)（2024年1251億美元→2028年2227億美元），本質(zhì)上是高算力芯片（GPU、ASIC）在功耗、密度與可靠性層面極限挑戰(zhàn)的集中體現(xiàn)。每一塊AI加速卡背后，都是數(shù)百瓦功耗、數(shù)千電源引腳、多級(jí)電壓域、復(fù)雜電源門(mén)控與瞬態(tài)電流管理的設(shè)計(jì)博弈。而這些，正是國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)憑借其高精度電源與功耗驗(yàn)證能力，**切入并把握產(chǎn)業(yè)機(jī)遇的技術(shù)支點(diǎn)。AI芯片普遍采用7nm/5nm等先進(jìn)工藝，靜態(tài)漏電（Leakage）隨工藝微縮呈指數(shù)增長(zhǎng)。國(guó)磊GT600通過(guò)每通道PPMU，支持nA級(jí)靜態(tài)電流測(cè)量，可**識(shí)別G**SIC在待機(jī)、休眠模式下的異常漏電，確保電源門(mén)控（PowerGating）機(jī)制有效，避免“隱形功耗”拖累整機(jī)能效。其高精度浮動(dòng)SMU板卡支持-2.5V~7V寬電壓輸出，可**控制AI芯片的Core、Memory、I/O等多電源域，驗(yàn)證上電時(shí)序（PowerSequencing）與電壓裕量（VoltageMargining），防止因電源順序錯(cuò)誤導(dǎo)致的閂鎖或功能失效。CAF測(cè)試設(shè)備研發(fā)