GT600每通道集成PPMU，具備nA級(jí)電流分辨率。在電源門控測(cè)試中，將PPMU連接至被門控模塊的電源引腳（VDD）或地引腳（VSS），在門控信號(hào)（PG_EN）關(guān)閉后，測(cè)量該模塊的靜態(tài)電流（IDDQ）。若電流**高于設(shè)計(jì)預(yù)期（如>1μA），則表明存在異常漏電，可能由工藝缺陷或電源開關(guān)未完全關(guān)斷導(dǎo)致。GT600支持多路**SMU/PPMU，可同時(shí)監(jiān)測(cè)主電源域與被門控電源域的電流。測(cè)試時(shí)，保持主邏輯供電，關(guān)閉目標(biāo)模塊的電源門控信號(hào)，通過(guò)對(duì)比門控前后該域電流的變化，精確提取**由門控網(wǎng)絡(luò)控制的漏電成分，排除其他模塊干擾。GT600支持電壓掃描（VoltageSweeping）和溫控聯(lián)動(dòng)（通過(guò)探針臺(tái)接口），可在高溫（如125°C）和高電壓條件下進(jìn)行測(cè)試，放大漏電效應(yīng)，提升缺陷檢出率。例如，在VDD=1.2V、125°C下測(cè)量關(guān)斷電流，可暴露常溫下難以發(fā)現(xiàn)的微小漏電。通過(guò)GTFY軟件系統(tǒng)編寫C++腳本，可自動(dòng)化執(zhí)行：施加正常工作電壓；發(fā)送指令進(jìn)入低功耗模式并觸發(fā)電源門控；延時(shí)穩(wěn)定（如10ms）；啟動(dòng)PPMU進(jìn)行電流采樣；重復(fù)多次以驗(yàn)證一致性。該流程確保測(cè)試可重復(fù)，并能捕捉間歇性漏電。國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)支持多種面向復(fù)雜SoC的具體測(cè)試流程，涵蓋從基本功能驗(yàn)證到高精度參數(shù)測(cè)量的完整鏈條。表面絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)

“風(fēng)華3號(hào)”兼容DirectX、OpenGL、Vulkan等主流圖形生態(tài)，其圖形管線包含頂點(diǎn)處理、光柵化、著色器執(zhí)行等復(fù)雜階段，測(cè)試需覆蓋多種渲染模式與狀態(tài)轉(zhuǎn)換。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)支持C++編程與VisualStudio開發(fā)環(huán)境，便于實(shí)現(xiàn)定制化圖形功能測(cè)試算法，如Shader指令序列驗(yàn)證、Z-Buffer精度測(cè)試、紋理映射完整性檢查等。其128M向量響應(yīng)存儲(chǔ)深度可捕獲長(zhǎng)周期圖形輸出行為，支持對(duì)幀率穩(wěn)定性、畫面撕裂等異常進(jìn)行回溯分析。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)還支持STDF、CSV等標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)格式輸出，便于良率追蹤與測(cè)試數(shù)據(jù)與EDA仿真結(jié)果的對(duì)比驗(yàn)證。國(guó)產(chǎn)替代導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試系統(tǒng)批發(fā)靈活的分組測(cè)試模式，可單獨(dú)控制16通道為一組。

國(guó)磊GT600支持可選配高精度浮動(dòng)SMU板卡，每塊SMU可**輸出電壓與監(jiān)測(cè)電流。對(duì)于具有多個(gè)電源域（如VDD_CORE、VDD_IO、VDD_SRAM、VDD_PG）的SoC，GT600可為每個(gè)域分配**SMU通道，實(shí)現(xiàn)各電源域**上電/斷電、不同電壓值（如1.8V、1.2V、0.9V）同時(shí)施加、防止電源域間相互干擾?，F(xiàn)代SoC要求多個(gè)電源域按特定順序上電（如先VDD_IO，后VDD_CORE）以避免閂鎖效應(yīng)。國(guó)磊GT600通過(guò)GTFY軟件系統(tǒng)編程控制各SMU的開啟時(shí)間，精確設(shè)置各域電壓的上升延遲（精度達(dá)ms級(jí)），驗(yàn)證SoC在正確與錯(cuò)誤時(shí)序下的行為，確保設(shè)計(jì)符合規(guī)范。國(guó)磊GT600的SMU和PPMU支持實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)每個(gè)電源域的電流消耗，可用于識(shí)別某電源域的異常功耗（如漏電、短路）、分析不同工作模式（運(yùn)行、睡眠、喚醒）下的域級(jí)功耗分布、驗(yàn)證電源門控模塊是否有效切斷目標(biāo)域供電。國(guó)磊GT600可編程調(diào)節(jié)各電源域電壓（如±5%波動(dòng)），測(cè)試SoC在電壓偏移條件下的功能穩(wěn)定性，評(píng)估電源完整性設(shè)計(jì)余量。對(duì)于國(guó)磊GT600SMU電壓范圍外的電源（如高壓模擬域），可通過(guò)GPIB/TTL接口控制外部源表或電源模塊，實(shí)現(xiàn)與GT600內(nèi)部SMU的同步操作，構(gòu)建完整的多電源域測(cè)試系統(tǒng)。

隨著智能手機(jī)進(jìn)入AI時(shí)代，SoC的競(jìng)爭(zhēng)已從單一CPU性能轉(zhuǎn)向“CPU+GPU+NPU”三位一體的綜合算力比拼。Counterpoint數(shù)據(jù)顯示，天璣9000系列憑借在AI能力上的前瞻布局，2024年出貨量同比增長(zhǎng)60%，預(yù)計(jì)2025年將再翻一番。這一成就的背后，不**是架構(gòu)設(shè)計(jì)的**，更是對(duì)NPU（神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理單元）和AI工作負(fù)載深度優(yōu)化的結(jié)果。而這類高度集成的AISoC，對(duì)測(cè)試設(shè)備提出了前所未有的挑戰(zhàn)：高引腳數(shù)、多電源域、復(fù)雜時(shí)序、低功耗模式、混合信號(hào)模塊等，均需在量產(chǎn)前完成**驗(yàn)證。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)正是為此類**手機(jī)SoC量身打造的測(cè)試平臺(tái)，具備從功能到參數(shù)、從數(shù)字到模擬的全棧測(cè)試能力。強(qiáng)大的軟件系統(tǒng)，提供實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集和深度分析功能。

在現(xiàn)代手機(jī)SoC中，高速接口如LPDDR5內(nèi)存、PCIe4.0存儲(chǔ)、USB3.2/4.0數(shù)據(jù)傳輸?shù)龋殉蔀樾阅芷款i的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其協(xié)議復(fù)雜、時(shí)序嚴(yán)苛，對(duì)測(cè)試設(shè)備的速率和深度提出極高要求。國(guó)磊GT600支持400MHz測(cè)試速率，可精細(xì)模擬高速信號(hào)邊沿與時(shí)鐘同步，確保接口在極限頻率下穩(wěn)定工作；其128M超大向量深度，足以容納完整的AI大模型推理流程、多任務(wù)并發(fā)調(diào)度等長(zhǎng)周期測(cè)試用例，避免傳統(tǒng)設(shè)備因內(nèi)存不足頻繁加載數(shù)據(jù)導(dǎo)致的測(cè)試中斷或覆蓋不全，真正實(shí)現(xiàn)“一次加載，全程跑完”，保障功能驗(yàn)證的完整性與可靠性。國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)廣適用于AI、移動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)、汽車、工業(yè)等領(lǐng)域的SoC研發(fā)與量產(chǎn)驗(yàn)證。吉安CAF測(cè)試系統(tǒng)批發(fā)

GM8800是進(jìn)行絕緣劣化試驗(yàn)的理想選擇。表面絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)

作為杭州國(guó)磊半導(dǎo)體設(shè)備有限公司的**產(chǎn)品之一，GM8800導(dǎo)電陽(yáng)極絲（CAF）測(cè)試系統(tǒng)專為評(píng)估PCB、絕緣基材、封裝樹脂及導(dǎo)電膠等在電場(chǎng)和濕熱環(huán)境下的絕緣可靠性而設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)提供16至256個(gè)可靈活擴(kuò)展的測(cè)試通道，支持以16通道為單元進(jìn)行分組**測(cè)試，電阻測(cè)量范圍橫跨10^4至10^14Ω，測(cè)量精度根據(jù)阻值區(qū)間不同控制在±3%至±10%，兼具0.1μA~500μA的寬范圍電流檢測(cè)能力，采樣速率全通道可達(dá)8次/秒。GM8800內(nèi)置精密的可編程電壓源，輸出范圍0V~±100V，外接偏置電壓比較高可達(dá)3000V，并具備1~600秒可設(shè)置的測(cè)試電壓穩(wěn)定時(shí)間，能夠精確模擬各種工作電壓應(yīng)力條件。系統(tǒng)配備的專業(yè)軟件支持實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集（包括時(shí)間、電阻、電流、電壓、溫濕度）、歷史數(shù)據(jù)追溯、趨勢(shì)分析及多種格式報(bào)告導(dǎo)出，并創(chuàng)新性地集成了遠(yuǎn)程監(jiān)控功能，用戶可通過(guò)電腦或手機(jī)隨時(shí)查看測(cè)試進(jìn)展與系統(tǒng)狀態(tài)。與價(jià)格昂貴的英國(guó)進(jìn)口GEN3系統(tǒng)相比，GM8800在**性能參數(shù)上毫不遜色，而在通道擴(kuò)展靈活性、定制化服務(wù)響應(yīng)以及總體擁有成本方面展現(xiàn)出更強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力，是推動(dòng)半導(dǎo)體、電子元器件及相關(guān)材料領(lǐng)域測(cè)試環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程的理想平臺(tái)。表面絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)