當(dāng)前，AI大模型與高性能計(jì)算正以前所未有的速度推動(dòng)HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）技術(shù)爆發(fā)式增長(zhǎng)。HBM3、HBM3E成為英偉達(dá)、AMD、華為等巨頭AI芯片的標(biāo)配，全球需求激增，市場(chǎng)缺口持續(xù)擴(kuò)大。然而，HBM不**改變了芯片架構(gòu)，更對(duì)后端測(cè)試提出了前所未有的挑戰(zhàn)——高引腳數(shù)、高速接口、復(fù)雜時(shí)序與電源完整性要求，使得傳統(tǒng)測(cè)試設(shè)備難以勝任。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)應(yīng)勢(shì)而生，專為應(yīng)對(duì)HBM時(shí)代**SoC測(cè)試難題而設(shè)計(jì)。它不是直接測(cè)試HBM芯片，而是**服務(wù)于“集成了HBM的AI/GPU芯片”的功能驗(yàn)證與量產(chǎn)測(cè)試，成為國(guó)產(chǎn)**ATE在HBM浪潮中的關(guān)鍵支撐力量，助力中國(guó)芯突破“內(nèi)存墻”背后的“測(cè)試墻”。系統(tǒng)集成高效軟件，提供強(qiáng)大數(shù)據(jù)分析與報(bào)告生成能力。高性能CAF測(cè)試系統(tǒng)哪家好

GT600每通道集成PPMU，具備nA級(jí)電流分辨率。在電源門(mén)控測(cè)試中，將PPMU連接至被門(mén)控模塊的電源引腳（VDD）或地引腳（VSS），在門(mén)控信號(hào)（PG_EN）關(guān)閉后，測(cè)量該模塊的靜態(tài)電流（IDDQ）。若電流**高于設(shè)計(jì)預(yù)期（如>1μA），則表明存在異常漏電，可能由工藝缺陷或電源開(kāi)關(guān)未完全關(guān)斷導(dǎo)致。GT600支持多路**SMU/PPMU，可同時(shí)監(jiān)測(cè)主電源域與被門(mén)控電源域的電流。測(cè)試時(shí)，保持主邏輯供電，關(guān)閉目標(biāo)模塊的電源門(mén)控信號(hào)，通過(guò)對(duì)比門(mén)控前后該域電流的變化，精確提取**由門(mén)控網(wǎng)絡(luò)控制的漏電成分，排除其他模塊干擾。GT600支持電壓掃描（VoltageSweeping）和溫控聯(lián)動(dòng)（通過(guò)探針臺(tái)接口），可在高溫（如125°C）和高電壓條件下進(jìn)行測(cè)試，放大漏電效應(yīng)，提升缺陷檢出率。例如，在VDD=1.2V、125°C下測(cè)量關(guān)斷電流，可暴露常溫下難以發(fā)現(xiàn)的微小漏電。通過(guò)GTFY軟件系統(tǒng)編寫(xiě)C++腳本，可自動(dòng)化執(zhí)行：施加正常工作電壓；發(fā)送指令進(jìn)入低功耗模式并觸發(fā)電源門(mén)控；延時(shí)穩(wěn)定（如10ms）；啟動(dòng)PPMU進(jìn)行電流采樣；重復(fù)多次以驗(yàn)證一致性。該流程確保測(cè)試可重復(fù)，并能捕捉間歇性漏電。GEN3測(cè)試系統(tǒng)工藝國(guó)磊GT600通過(guò)可擴(kuò)展的硬件架構(gòu)、高精度模擬測(cè)量能力和開(kāi)放軟件平臺(tái)，為各高jiSoC提供定制測(cè)試方案。

低功耗SoC在先進(jìn)工藝下表現(xiàn)出更復(fù)雜的漏電行為、更敏感的電源完整性需求、更精細(xì)的時(shí)序窗口，以及混合信號(hào)模塊（如PLL、ADC、LDO）的高精度驗(yàn)證要求。傳統(tǒng)測(cè)試設(shè)備往往難以滿足這些需求，尤其是在靜態(tài)電流（IDDQ）、電壓裕量測(cè)試、動(dòng)態(tài)功耗曲線、喚醒延遲、電源序列控制等關(guān)鍵參數(shù)的測(cè)量上。此時(shí)，國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)的價(jià)值凸顯。GT600支持每通道PPMU（ParametricPinMonitorUnit），可實(shí)現(xiàn)nA級(jí)靜態(tài)電流測(cè)量，**捕捉先進(jìn)工藝下SoC的漏電異常，確保低功耗模式（Sleep/DeepSleep）的有效性。其可選配的高精度浮動(dòng)SMU板卡支持-2.5V~7V寬電壓范圍與1A驅(qū)動(dòng)能力，可用于DVFS電壓切換測(cè)試與電源域上電時(shí)序驗(yàn)證。

天璣9000系列集成了高性能CPU集群與**NPU，支持多模態(tài)AI推理、端側(cè)大模型運(yùn)行，其芯片內(nèi)部信號(hào)復(fù)雜度遠(yuǎn)超傳統(tǒng)SoC。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)支持**2048個(gè)數(shù)字通道和400MHz測(cè)試速率，可完整覆蓋天璣類SoC的高并發(fā)I/O接口測(cè)試需求。其32/64/128M向量存儲(chǔ)深度支持復(fù)雜AI指令序列的Pattern加載，確保NPU功能邏輯的完整驗(yàn)證。更關(guān)鍵的是，GT600支持512Sites高并行測(cè)試，**提升測(cè)試吞吐量，降低單顆芯片測(cè)試成本，滿足手機(jī)SoC大規(guī)模量產(chǎn)的效率要求。在AI芯片“拼性能、拼量產(chǎn)”的競(jìng)爭(zhēng)中，國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)為國(guó)產(chǎn)SoC廠商提供了高效、穩(wěn)定的測(cè)試保障。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)模塊化16插槽架構(gòu)可同時(shí)集成數(shù)字、AWG、TMU、Digitizer板卡，實(shí)現(xiàn)HBM系統(tǒng)級(jí)混合信號(hào)測(cè)試。

杭州國(guó)磊半導(dǎo)體設(shè)備有限公司自主研發(fā)推出CAF測(cè)試系統(tǒng)GM8800。系統(tǒng)集成±100V內(nèi)置電源與3000V外置高壓模塊，采用三段式步進(jìn)電壓技術(shù)：0-100V區(qū)間0.01V微調(diào)、100-500V步進(jìn)0.1V、500-3000V步進(jìn)1V。電壓精度達(dá)±0.05V（1-100VDC），結(jié)合100V/2ms超快上升速度，精細(xì)模擬電動(dòng)汽車(chē)電控浪涌沖擊。1MΩ保護(hù)電阻與1-600秒可編程穩(wěn)定時(shí)間，有效消除容性負(fù)載誤差。測(cè)試范圍覆蓋10?-101?Ω，其中101?Ω極限測(cè)量精度±10%，為SiC功率模塊提供實(shí)驗(yàn)室級(jí)絕緣驗(yàn)證方案。我們的系統(tǒng)能有效評(píng)估絕緣材料在電場(chǎng)下的性能變化。GEN3測(cè)試系統(tǒng)工藝

強(qiáng)大的數(shù)據(jù)分析功能，助您快速定位問(wèn)題。高性能CAF測(cè)試系統(tǒng)哪家好

國(guó)磊半導(dǎo)體推出的GM8800多通道絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)，是踐行“為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展盡綿薄之力”使命的具體體現(xiàn)。該系統(tǒng)具備業(yè)界**的256通道測(cè)試能力，電阻測(cè)量范圍覆蓋10^4~10^14Ω，測(cè)量精度高，能夠精細(xì)表征各類絕緣材料、電子元件、PCB板在直流偏壓和環(huán)境應(yīng)力下的絕緣性能退化行為，特別是對(duì)導(dǎo)電陽(yáng)極絲（CAF）現(xiàn)象進(jìn)行有效監(jiān)測(cè)與預(yù)警。GM8800提供從1.0V到3000V的寬范圍、高精度測(cè)試電壓，內(nèi)置電源穩(wěn)定可靠，外接高壓擴(kuò)展方便，電壓控制精度優(yōu)異，上升速度快，且測(cè)試電壓穩(wěn)定時(shí)間可調(diào)（1~600秒），為用戶提供了高度靈活的測(cè)試條件模擬能力。系統(tǒng)集成實(shí)時(shí)電流檢測(cè)和溫濕度監(jiān)控功能，數(shù)據(jù)采集***，并通過(guò)完全屏蔽的線纜系統(tǒng)保證測(cè)量準(zhǔn)確性。其智能軟件平臺(tái)提供從測(cè)試設(shè)置、自動(dòng)執(zhí)行到數(shù)據(jù)分析、報(bào)告生成的全流程服務(wù)，并支持遠(yuǎn)程監(jiān)控。在系統(tǒng)保護(hù)方面，多重報(bào)警機(jī)制和UPS選項(xiàng)確保了長(zhǎng)時(shí)間測(cè)試的無(wú)憂進(jìn)行。相較于進(jìn)口設(shè)備，GM8800在實(shí)現(xiàn)技術(shù)性能對(duì)標(biāo)的同時(shí)，***降低了用戶的購(gòu)置與運(yùn)維成本，并且能夠提供更快速、更貼身的本地化技術(shù)支持與定制服務(wù)，完美契合國(guó)內(nèi)新能源汽車(chē)、儲(chǔ)能、通信、醫(yī)療電子等行業(yè)對(duì)**可靠性測(cè)試設(shè)備的迫切需求，是推動(dòng)國(guó)產(chǎn)化替代戰(zhàn)略落地的堅(jiān)實(shí)力量。高性能CAF測(cè)試系統(tǒng)哪家好