面對(duì)AI眼鏡出貨量激增（IDC預(yù)計(jì)2025年全球達(dá)1280萬(wàn)副），量產(chǎn)測(cè)試效率成為關(guān)鍵瓶頸。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)支持**512Sites并行測(cè)試，**提升測(cè)試吞吐量，降低單顆SoC測(cè)試成本，滿足高量產(chǎn)型號(hào)的產(chǎn)能需求。其支持Access、Excel、CSV、STDF等標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)格式導(dǎo)出，便于測(cè)試數(shù)據(jù)與MES系統(tǒng)對(duì)接，實(shí)現(xiàn)良率追蹤與SPC分析。GPIB/TTL接口可同步探針臺(tái)與分選機(jī)，構(gòu)建全自動(dòng)CP/FT測(cè)試流程，提升測(cè)試一致性與可靠性。對(duì)于集成了AI加速單元的MCU類SoC，國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)可同時(shí)驗(yàn)證其神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)推理功能與低功耗行為，確保端側(cè)AI性能與續(xù)航的雙重達(dá)標(biāo)。從實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證到量產(chǎn)測(cè)試，我們提供全流程支持。GEN3測(cè)試系統(tǒng)批發(fā)

國(guó)磊半導(dǎo)體GM8800多通道絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)是國(guó)產(chǎn)**儀器替代進(jìn)口的典范。該系統(tǒng)支持比較高256個(gè)測(cè)試點(diǎn)的同步監(jiān)測(cè)，電阻測(cè)量范圍覆蓋10^4~10^14Ω，精度依據(jù)不同區(qū)間控制在±3%至±10%，性能指標(biāo)對(duì)標(biāo)國(guó)際前列產(chǎn)品。GM8800提供從1V到3000V的寬范圍可編程偏置電壓，內(nèi)置電源精度優(yōu)異，外接高壓穩(wěn)定可靠，電壓上升速度快，并可設(shè)置1~600秒的測(cè)試電壓穩(wěn)定時(shí)間，確保測(cè)試條件的精確性與可重復(fù)性。系統(tǒng)具備***的數(shù)據(jù)采集能力，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并記錄電阻、電流、電壓、溫度、濕度等所有關(guān)鍵參數(shù)，采用完全屏蔽線纜以保障信號(hào)。其軟件平臺(tái)功能強(qiáng)大，提供測(cè)試控制、實(shí)時(shí)顯示、歷史數(shù)據(jù)分析、報(bào)警管理、報(bào)告生成及遠(yuǎn)程訪問(wèn)等功能。在系統(tǒng)保護(hù)方面，GM8800設(shè)計(jì)了完善的報(bào)警機(jī)制（涵蓋低阻、測(cè)試狀態(tài)、環(huán)境條件、電源、軟件健康度）和UPS斷電保護(hù)選項(xiàng)。相較于價(jià)格高昂的英國(guó)GEN3設(shè)備，GM8800在提供同等***性能的同時(shí)，***降低了用戶的初始投資和長(zhǎng)期持有成本，并且憑借公司本地化的優(yōu)勢(shì)，能夠提供更及時(shí)、更有效的技術(shù)支持和定制化服務(wù)，完美滿足新能源汽車、儲(chǔ)能系統(tǒng)、5G通信、航空航天等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅芙^緣可靠性測(cè)試設(shè)備的迫切需求，加速了產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控進(jìn)程。高阻測(cè)試設(shè)備研發(fā)中心支持遠(yuǎn)程監(jiān)控，讓您隨時(shí)隨地掌握測(cè)試進(jìn)程。

    對(duì)國(guó)產(chǎn)車而言，其自研車規(guī)級(jí)MCU（微控制器）與功率半導(dǎo)體是智能汽車“大腦”與“肌肉”的**，必須通過(guò)AEC-Q100、AEC-Q101等汽車行業(yè)**嚴(yán)苛的可靠性認(rèn)證，確保在-40℃~150℃極端溫度、高濕、強(qiáng)振動(dòng)、長(zhǎng)期高負(fù)載等惡劣環(huán)境下仍能穩(wěn)定運(yùn)行十年以上。國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)正是這一“車規(guī)級(jí)體檢”的關(guān)鍵設(shè)備。其每通道PPMU（精密參數(shù)測(cè)量單元）可精細(xì)測(cè)量nA級(jí)靜態(tài)漏電流（Iddq），識(shí)別芯片內(nèi)部微小缺陷或工藝波動(dòng)導(dǎo)致的“潛伏性失效”，從源頭剔除“體質(zhì)虛弱”的芯片；同時(shí)支持引腳級(jí)開(kāi)路/短路測(cè)試，確保封裝無(wú)瑕疵。更關(guān)鍵的是，國(guó)磊GT600可選配浮動(dòng)SMU電源板卡，能靈活模擬車載12V/24V供電系統(tǒng)，驗(yàn)證MCU在電壓波動(dòng)、負(fù)載突變等真實(shí)工況下的電源管理能力，防止“掉電重啟”或“邏輯錯(cuò)亂”。此外，國(guó)磊GT600支持高溫老化測(cè)試（Burn-in）接口，可配合溫控系統(tǒng)進(jìn)行早期失效篩選，大幅提升車載芯片的長(zhǎng)期可靠性。在汽車“缺芯”與“安全至上”的雙重背景下，國(guó)磊GT600可以為國(guó)產(chǎn)車構(gòu)建從研發(fā)到量產(chǎn)的高可靠測(cè)試閉環(huán)，守護(hù)每一程出行安全。

杭州國(guó)磊半導(dǎo)體設(shè)備有限公司深刻洞察國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)對(duì)**測(cè)試裝備的迫切需求，成功研發(fā)了GM8800導(dǎo)電陽(yáng)極絲（CAF）測(cè)試系統(tǒng)。該系統(tǒng)具備強(qiáng)大的256通道并行測(cè)試能力，電阻測(cè)量范圍高達(dá)10^14Ω，測(cè)量精度優(yōu)異，能夠精細(xì)評(píng)估PCB內(nèi)部、封裝材料、基板等在不同偏壓和濕熱條件下的絕緣電阻變化趨勢(shì)，有效預(yù)警因?qū)щ婈?yáng)極絲生長(zhǎng)導(dǎo)致的短路風(fēng)險(xiǎn)。GM8800提供高度靈活的電壓輸出配置，內(nèi)置精密源表單元（0V~±100V），外接偏置電壓可達(dá)3000V，電壓控制精度高，上升速度快，且測(cè)試電壓穩(wěn)定時(shí)間可自由設(shè)定（1~600秒），完美適配各種加速測(cè)試方案。系統(tǒng)***集成數(shù)據(jù)采集功能，實(shí)時(shí)記錄時(shí)間、電阻、電流、電壓、溫度、濕度等參數(shù)，并通過(guò)專業(yè)軟件進(jìn)行自動(dòng)化數(shù)據(jù)分析和可視化展示，支持遠(yuǎn)程監(jiān)控功能。其設(shè)計(jì)注重安全與可靠性，配備多層次報(bào)警系統(tǒng)（低阻、停機(jī)、環(huán)境參數(shù)、電源、軟件狀態(tài)）和斷電保護(hù)機(jī)制。與進(jìn)口產(chǎn)品相比，GM8800在**性能指標(biāo)上達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，同時(shí)擁有更優(yōu)的通道性價(jià)比、更低的運(yùn)維成本和更便捷的本土化服務(wù)支持，已成為國(guó)內(nèi)**的PCB制造商、芯片封裝廠、汽車電子供應(yīng)商及科研機(jī)構(gòu)進(jìn)行產(chǎn)品可靠性研究與品質(zhì)管控的可靠伙伴，助力中國(guó)智造邁向新高。國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)廣適用于AI、移動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)、汽車、工業(yè)等領(lǐng)域的SoC研發(fā)與量產(chǎn)驗(yàn)證。

GT600每通道集成PPMU，具備nA級(jí)電流分辨率。在電源門(mén)控測(cè)試中，將PPMU連接至被門(mén)控模塊的電源引腳（VDD）或地引腳（VSS），在門(mén)控信號(hào)（PG_EN）關(guān)閉后，測(cè)量該模塊的靜態(tài)電流（IDDQ）。若電流**高于設(shè)計(jì)預(yù)期（如>1μA），則表明存在異常漏電，可能由工藝缺陷或電源開(kāi)關(guān)未完全關(guān)斷導(dǎo)致。GT600支持多路**SMU/PPMU，可同時(shí)監(jiān)測(cè)主電源域與被門(mén)控電源域的電流。測(cè)試時(shí)，保持主邏輯供電，關(guān)閉目標(biāo)模塊的電源門(mén)控信號(hào)，通過(guò)對(duì)比門(mén)控前后該域電流的變化，精確提取**由門(mén)控網(wǎng)絡(luò)控制的漏電成分，排除其他模塊干擾。GT600支持電壓掃描（VoltageSweeping）和溫控聯(lián)動(dòng)（通過(guò)探針臺(tái)接口），可在高溫（如125°C）和高電壓條件下進(jìn)行測(cè)試，放大漏電效應(yīng)，提升缺陷檢出率。例如，在VDD=1.2V、125°C下測(cè)量關(guān)斷電流，可暴露常溫下難以發(fā)現(xiàn)的微小漏電。通過(guò)GTFY軟件系統(tǒng)編寫(xiě)C++腳本，可自動(dòng)化執(zhí)行：施加正常工作電壓；發(fā)送指令進(jìn)入低功耗模式并觸發(fā)電源門(mén)控；延時(shí)穩(wěn)定（如10ms）；啟動(dòng)PPMU進(jìn)行電流采樣；重復(fù)多次以驗(yàn)證一致性。該流程確保測(cè)試可重復(fù)，并能捕捉間歇性漏電。國(guó)磊GT600每通道集成PPMU，支持HBM相關(guān)I/O引腳的漏電流（Leakage）、VIH/VIL、VOH/VOL等DC參數(shù)測(cè)量。國(guó)磊PCB測(cè)試系統(tǒng)按需定制

國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)向量響應(yīng)存儲(chǔ)深度達(dá)128M，可完整捕獲HBM高速數(shù)據(jù)傳輸過(guò)程中的誤碼行為。GEN3測(cè)試系統(tǒng)批發(fā)

杭州國(guó)磊半導(dǎo)體設(shè)備有限公司GM8800導(dǎo)電陽(yáng)極絲（CAF）測(cè)試系統(tǒng)是國(guó)產(chǎn)CAF測(cè)試裝備的重大成就，其性能指標(biāo)直接對(duì)標(biāo)國(guó)際**水平。該系統(tǒng)支持高達(dá)256個(gè)**通道的同步測(cè)試，電阻測(cè)量范圍橫跨10^4~10^14Ω，精度控制在±3%~±10%之間，能夠滿足**苛刻的絕緣材料與PCB板的CAF效應(yīng)評(píng)估需求。GM8800提供極其靈活和精確的電壓施加能力，內(nèi)置0V~±100V精密源，外接偏置電壓可達(dá)3000V，電壓控制精度***，步進(jìn)調(diào)節(jié)細(xì)膩，電壓建立速度快，并允許用戶設(shè)置1~600秒的穩(wěn)定時(shí)間以確保測(cè)試條件的一致性。系統(tǒng)集成 comprehensive 數(shù)據(jù)采集功能，同步監(jiān)測(cè)記錄所有相關(guān)參數(shù)（時(shí)間、電阻、電流、電壓、溫濕度），并通過(guò)專業(yè)軟件進(jìn)行自動(dòng)化處理、分析和存儲(chǔ)，支持遠(yuǎn)程訪問(wèn)與控制。其設(shè)計(jì)高度重視安全性與可靠性，內(nèi)置低阻、過(guò)壓、溫濕度越限、AC斷電、系統(tǒng)死機(jī)等多重報(bào)警機(jī)制，并可連接UPS提供長(zhǎng)達(dá)120分鐘的斷電保護(hù)。與價(jià)格昂貴的英國(guó)GEN3系統(tǒng)相比，GM8800在**功能與性能上實(shí)現(xiàn)***超越對(duì)標(biāo)，更在系統(tǒng)總擁有成本、通道擴(kuò)展性、定制化能力以及本土技術(shù)服務(wù)響應(yīng)效率上具備壓倒性優(yōu)勢(shì)，已成為國(guó)內(nèi)眾多**制造企業(yè)與研究機(jī)構(gòu)替代進(jìn)口、實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈自主的優(yōu)先方案。GEN3測(cè)試系統(tǒng)批發(fā)