8英寸晶圓在功率半導(dǎo)體、MEMS等領(lǐng)域仍占據(jù)重要市場(chǎng)份額，中清航科針對(duì)這類(lèi)成熟制程開(kāi)發(fā)的切割設(shè)備，兼顧效率與性?xún)r(jià)比。設(shè)備采用雙主軸并行切割設(shè)計(jì)，每小時(shí)可加工40片8英寸晶圓，且通過(guò)優(yōu)化機(jī)械結(jié)構(gòu)降低振動(dòng)噪聲至65分貝以下，為車(chē)間創(chuàng)造更友好的工作環(huán)境，深受中小半導(dǎo)體企業(yè)的青睞。晶圓切割工藝的數(shù)字化轉(zhuǎn)型是智能制造的重要組成部分。中清航科的切割設(shè)備內(nèi)置工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)模塊，可實(shí)時(shí)采集切割壓力、溫度、速度等100余項(xiàng)工藝參數(shù)，通過(guò)邊緣計(jì)算節(jié)點(diǎn)進(jìn)行實(shí)時(shí)分析，生成工藝優(yōu)化建議。客戶(hù)可通過(guò)云端平臺(tái)查看生產(chǎn)報(bào)表與趨勢(shì)分析，實(shí)現(xiàn)基于數(shù)據(jù)的精細(xì)化管理。5G射頻芯片切割中清航科特殊工藝，金線(xiàn)偏移量＜0.8μm。連云港12英寸半導(dǎo)體晶圓切割藍(lán)膜

晶圓切割是半導(dǎo)體封裝的中心環(huán)節(jié)，傳統(tǒng)刀片切割通過(guò)金剛石砂輪實(shí)現(xiàn)材料分離。中清航科研發(fā)的超薄刀片（厚度15-20μm）結(jié)合主動(dòng)冷卻系統(tǒng)，將切割道寬度壓縮至30μm以?xún)?nèi)，崩邊控制在5μm以下。我們的高剛性主軸技術(shù)可適配8/12英寸晶圓，切割速度提升40%，為L(zhǎng)ED、MEMS器件提供經(jīng)濟(jì)高效的解決方案。針對(duì)超薄晶圓（<50μm）易碎裂難題，中清航科激光隱形切割系統(tǒng)采用紅外脈沖激光在晶圓內(nèi)部形成改性層，通過(guò)擴(kuò)張膜實(shí)現(xiàn)無(wú)應(yīng)力分離。該技術(shù)消除機(jī)械切割導(dǎo)致的微裂紋，良率提升至99.3%，尤其適用于存儲(chǔ)芯片、CIS等器件，助力客戶(hù)降低材料損耗成本。上海碳化硅線(xiàn)晶圓切割藍(lán)膜12英寸晶圓切割中清航科解決方案突破產(chǎn)能瓶頸，良率99.3%。

半導(dǎo)體晶圓的制造過(guò)程制造過(guò)程始于一個(gè)大型單晶硅的生產(chǎn)（晶錠），制造方法包括直拉法與區(qū)熔法，這兩種方法都涉及從高純度硅熔池中控制硅晶體的生長(zhǎng)。一旦晶錠生產(chǎn)出來(lái)，就需要用精密金剛石鋸將其切成薄片狀晶圓。隨后晶圓被拋光以達(dá)到鏡面般的光滑，確保在后續(xù)制造工藝中表面無(wú)缺陷。接著，晶圓會(huì)經(jīng)歷一系列復(fù)雜的制造步驟，包括光刻、蝕刻和摻雜，這些步驟在晶圓表面上形成晶體管、電阻、電容和互連的復(fù)雜圖案。這些圖案在多個(gè)層上形成，每一層在電子器件中都有特定的功能。制造過(guò)程完成后，晶圓經(jīng)過(guò)晶圓切割分離出單個(gè)芯片，芯片會(huì)被封裝并測(cè)試，集成到電子器件和系統(tǒng)中。

中清航科IoT平臺(tái)通過(guò)振動(dòng)傳感器+電流波形分析，提前72小時(shí)預(yù)警主軸軸承磨損、刀片鈍化等故障。數(shù)字孿生模型模擬設(shè)備衰減曲線(xiàn)，備件更換周期精度達(dá)±5%，設(shè)備綜合效率（OEE）提升至95%。機(jī)械切割引發(fā)的殘余應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致芯片分層失效。中清航科創(chuàng)新采用超聲波輔助切割，高頻振動(dòng)（40kHz）使材料塑性分離，應(yīng)力峰值降低60%。該技術(shù)已獲ISO14649認(rèn)證，適用于汽車(chē)電子AEC-Q100可靠性要求。Chiplet架構(gòu)需對(duì)同片晶圓分區(qū)切割。中清航科多深度切割系統(tǒng)支持在單次制程中實(shí)現(xiàn)5-200μm差異化切割深度，精度±1.5μm。動(dòng)態(tài)焦距激光模塊配合高速振鏡，完成異構(gòu)芯片的高效分離。中清航科切割機(jī)節(jié)能模式降低功耗40%，年省電費(fèi)超15萬(wàn)元。

晶圓切割設(shè)備是用于半導(dǎo)體制造中，將晶圓精確切割成單個(gè)芯片的關(guān)鍵設(shè)備。這類(lèi)設(shè)備通常要求高精度、高穩(wěn)定性和高效率，以確保切割出的芯片質(zhì)量符合標(biāo)準(zhǔn)。晶圓切割設(shè)備的技術(shù)參數(shù)包括切割能力、空載轉(zhuǎn)速、額定功率等，這些參數(shù)直接影響到設(shè)備的切割效率和切割質(zhì)量。例如，切割能力決定了設(shè)備能處理的晶圓尺寸和厚度，空載轉(zhuǎn)速和額定功率則關(guān)系到設(shè)備的切割速度和穩(wěn)定性。此外，設(shè)備的電源類(lèi)型、電源電壓等也是重要的考慮因素，它們影響到設(shè)備的兼容性和使用范圍。現(xiàn)在店內(nèi)正好有切割設(shè)備，具備較高的切割能力（Ф135X6），空載轉(zhuǎn)速達(dá)到2280rpm，電源電壓為380V，適用于多種切割需求。中清航科定制刀輪應(yīng)對(duì)超薄晶圓切割，碎片率降至0.1%以下。杭州半導(dǎo)體晶圓切割

中清航科全自動(dòng)切割線(xiàn)配備AI視覺(jué)定位，精度達(dá)±1.5μm。連云港12英寸半導(dǎo)體晶圓切割藍(lán)膜

隨著Chiplet技術(shù)的興起，晶圓切割需要更高的位置精度以保證后續(xù)的異構(gòu)集成。中清航科開(kāi)發(fā)的納米級(jí)定位切割系統(tǒng)，采用氣浮導(dǎo)軌與光柵尺閉環(huán)控制，定位精度達(dá)到±0.1μm，配合雙頻激光干涉儀進(jìn)行實(shí)時(shí)校準(zhǔn)，確保切割道位置與設(shè)計(jì)圖紙的偏差不超過(guò)0.5μm，為Chiplet的高精度互聯(lián)奠定基礎(chǔ)。中清航科深諳半導(dǎo)體設(shè)備的定制化需求，可為客戶(hù)提供從工藝驗(yàn)證到設(shè)備交付的全流程服務(wù)。其技術(shù)團(tuán)隊(duì)會(huì)深入了解客戶(hù)的晶圓規(guī)格、材料特性與產(chǎn)能要求，定制專(zhuān)屬切割方案，如針對(duì)特殊異形Die的切割路徑優(yōu)化、大尺寸晶圓的分片切割策略等，已成功為多家頭部半導(dǎo)體企業(yè)完成定制化項(xiàng)目交付。連云港12英寸半導(dǎo)體晶圓切割藍(lán)膜